據(jù)了解，測(cè)試方案的優(yōu)劣直接影響到良率和測(cè)試成本。有資料顯示，芯片缺陷相關(guān)故障對(duì)成本的影響從IC級(jí)別的數(shù)十美元，增長(zhǎng)到模塊級(jí)別的數(shù)百美元，乃至應(yīng)用端級(jí)別的數(shù)千美元。此外，目前芯片開(kāi)發(fā)周期縮短，對(duì)于流片的成功率要求非常高，任何一次失敗，對(duì)企業(yè)而言都是無(wú)法承受的。因此，在芯片設(shè)計(jì)及開(kāi)發(fā)過(guò)程中需要進(jìn)行充分的驗(yàn)證和測(cè)試。

　　然而，由于ATE不屬于工藝設(shè)備，因此產(chǎn)品迭代速度較慢，單類(lèi)產(chǎn)品生命周期較長(zhǎng)。市場(chǎng)目前主流的ATE多是在同一測(cè)試技術(shù)平臺(tái)通過(guò)更換不同測(cè)試模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)多種類(lèi)別的測(cè)試，并提高平臺(tái)延展性。

　　如今，很多玩家都很關(guān)注新興市場(chǎng)，這也使得這些市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)開(kāi)始變得非常激烈，使得市場(chǎng)對(duì)芯片迭代的需求越來(lái)越多，且產(chǎn)品的生產(chǎn)周期也在逐漸縮短。但是在這樣的情況下，還需要保證芯片的質(zhì)量符合要求，尤其是汽車(chē)電子領(lǐng)域，對(duì)芯片質(zhì)量要求非常高。因此，對(duì)于芯片測(cè)試的要求也變得更加苛刻。

　　要獲得更快的產(chǎn)品面世時(shí)間、更高的測(cè)試效率、更低的測(cè)試成本、更高的質(zhì)量，一系列對(duì)于ATE的新要求已經(jīng)接踵而至除了新興市場(chǎng)為ATE設(shè)備帶來(lái)的挑戰(zhàn)外，*制程工藝芯片的測(cè)試也為ATE設(shè)備帶來(lái)了很大挑戰(zhàn)。

　　對(duì)于測(cè)試行業(yè)而言，從封裝到*封裝，對(duì)于測(cè)試的方法并沒(méi)有太大的變化，只是從測(cè)試策略上可能有一些區(qū)別。但是隨著*制程的發(fā)展，會(huì)給ATE設(shè)備帶來(lái)一些挑戰(zhàn)。*制程芯片的硅片尺寸比較大，在測(cè)試時(shí)消耗的功率也比較大，用的資源也比較多，對(duì)測(cè)試機(jī)會(huì)有很大的壓力。首先，這會(huì)導(dǎo)致測(cè)試成本提升。其次，對(duì)測(cè)試機(jī)的各方面技術(shù)的要求也會(huì)提升，需要測(cè)試機(jī)具備更高的性能。最后，測(cè)試方式也需要有變化，需要針對(duì)*制程開(kāi)發(fā)新的測(cè)試方法。

　　如何才能快速且高效地完成新一代ATE方案的開(kāi)發(fā)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)大量出貨、類(lèi)型各異的芯片測(cè)試需求，納米軟件Namisoft提出了新的解決方案—半導(dǎo)體電子元器件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)NSAT-2000。

　　雖然，芯片的良率大部分是由代工廠來(lái)決定，但是通過(guò)優(yōu)化測(cè)試方法，也可以提高芯片的良率，從而提升產(chǎn)品的面世時(shí)間。通過(guò)測(cè)試提升芯片良率主要有兩個(gè)方式：其一，在測(cè)試過(guò)程中修復(fù)一些設(shè)計(jì)中的缺陷，來(lái)提升邊界良率，降低報(bào)廢成本。其二，提升測(cè)試規(guī)格的精密度，減少‘誤傷’情況，把芯片測(cè)得更準(zhǔn)。

　　最后，在測(cè)試過(guò)程中，要對(duì)測(cè)試單元進(jìn)行精簡(jiǎn)，減少不必要的環(huán)節(jié)，在提升芯片測(cè)試效率的同時(shí)，還能減少不必要的成本消耗。

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