P+F接近開關工作原理簡介:當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會產生電位差,這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為U=K·I·B/d其中K為霍爾系數,I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度,d是薄片的厚度。由此可見,霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。霍爾開關就屬于這種有源磁電轉換器件,它是在霍爾效應原理的基礎上,利用集成封裝和組裝工藝制作而成,它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號,同時又具備工業(yè)場合實際應用易操作和可靠性的要求。霍爾開關的輸入端是以磁感應強度B來表征的,當B值達到一定的程度(如B1)時,霍爾開關內部的觸發(fā)器翻轉,霍爾開關的輸出電平狀態(tài)也隨之翻轉。輸出端一般采用晶體管輸出,和其他傳感器類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型(雙極性)、雙信號輸出之分。
產品應用:
傳感器、執(zhí)行器、編碼器、電機馬達,工業(yè)相機
工廠自動化過程控制
包裝標簽打印設備
工業(yè)儀器設備
EMS電路板組件
工業(yè)安全光柵光幕
設備電池、半導體
現場總線: DeviceNet, CANopen, Profibus, Ethernet,
船舶電子NMEA 2000、軌道交通
LED戶外顯示屏、戶外LED照明
NJ15+U1+W
NBB5-18GM50-E0
NBN8-18GM50-E2-V1
NJ20+U1+E2
NBB5-18GM50-E2
NBN8-18GM40-Z0
NJ20+U1+W
NBB10-30GM50-E0
NBN8-18GM60-WS
NJ30+U1+W
NBB10-30GM50-E2
NBN8-18GM60-WO,
NJ30+U1+E2
NBB15-30GM50-WS
NBN15-30GM50-E2
NJ1.5-8GM-N
NBB15-30GM50-WO
NBN15-30GM50-E0
NJ2-12GM-N
NBB20-L2-E2-V1
NBN15-30GM40-Z0
NJ4-12GM-N
NBN4-12GM50-E0-V1
NBN4-12GM50-E2
LVL-T1-G3S-E5PG-NA
NBN4-12GM50-E0
NCN25-F35-A2-250-V1
NJ40+U1+W
NJ5-18GM-N
NBN40-L2-E2-V1
NBN40-L2-A2-V1
NBN8-18GM50-E2-V1
NBB2-12GM50-E0
NBN4-12GM50-E2-V1
NJ4-12GM40-E2
NBB2-12GM50-E2
NBB2-12GM50-E0-V1
NBN5-F7-E2
NBN5-F7-E0
NJ4-12GM40-E2-V1
NBB2-12GM50-E2-V1
NBN8-18GM50-E0
NJ8-18GM-N
NBB4-12GM50-E0-V1
NBN8-18GM50-E2
NJ15+U1+E2
NBB4-12GM50-E2-V1
NBN8-18GM50-E0-V1
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