技術文獻：基于異質Ir(III)的高輻射容量近紅外有機發(fā)光二極管

來源：巨力光電（北京）科技有限公司 2023年03月08日 09:53

主要內容

含有重金屬的近紅外有機發(fā)光二極管（NIR OLEDs）因其應用優(yōu)勢而常被報道。但對于商業(yè)應用，由于其功耗的原因，有必要從輻射容量（RC）的角度來探索器件性能。

研究人員開發(fā)了一種基于Ir（III）的新型異質近紅外材料，用于近紅外有機發(fā)光二極管（NIR OLEDs）。這些材料具有高度定向的水平偶極比和短輻射壽命。在NIR OLEDs中，這些器件提供極低的導通電壓和高輻射容量，使其適用于各種應用。這項研究表明，在類似的基于Ir（III）的近紅外OLEDs中，它具有優(yōu)異的器件性能，這使其成為一種有前途的商業(yè)應用材料。

發(fā)射層沉積在50nm厚的玻璃襯底上。其中使用我公司代理的Phelos角度分辨電致發(fā)光/光致發(fā)光測量系統(tǒng)收集了全角度相關p偏振PL光譜。

產品推薦-Phelos角度分辨電致發(fā)光/光致發(fā)光測量系統(tǒng)

Phelos用于測量OLED、鈣鈦礦LED及其他發(fā)光器件的發(fā)射光譜特性和極化角，同時也可測量器件的s和p偏振光譜、發(fā)射光譜與角度的關系，計算出發(fā)射層中激子的發(fā)光角度及位置分布。

文獻信息

Heteroleptic Ir(III)-based near-infrared organic light-emitting diodes with high radiance capacity

Yongjin Park, Gyeong Seok Lee, Woochan Lee, Seunghyup Yoo, Yun-Hi Kim & Kyung-Cheol Choi

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