SICK傳感器靈敏度和線性度是傳感器*重要的兩個性能指標。為了制作出能夠滿足實際應用需求的壓力傳感器，必需探索出一種壓力傳感器靈敏度和線性度的有效仿真方法。提供了一種基于對壓阻式壓力傳感器薄膜表面應力的有限元分析(FEA)和路徑積分的仿真方法，從而實現(xiàn)了在滿量程范圍內不同壓力值下對傳感器電壓輸出值的估計，在此基礎上對壓力傳感器的靈敏度和線性度進行了有效仿真。微壓傳感器發(fā)展迅速，新研制出的一類SICK傳感器由于采用壓電單晶片結構，并內置前置放大器，放大微弱信號并實現(xiàn)阻抗變換，從而使傳感器具有量程小，靈敏度高，抗干擾性好等特點。這類傳咸器已廣泛用干脈搏，管壁壓力波動等微小信號的檢測，因此，迫切需要一種簡便的測量裝詈測量傳感器的性能。

為了解決微SICK傳感器靈敏度和非線性的矛盾，在結構上，綜合梁膜結構與平膜雙島結構的優(yōu)點，采用雙島-梁結構。島區(qū)的面積不是按比例放大或縮小。首先，為了增加靈敏度，應盡可能減小窄梁區(qū)的長度和寬度。因為從對梁-膜 島結構的有限元分析和近似解析分析中發(fā)現(xiàn)減小容梁區(qū)的長度和寬度可以明顯地使梁上的應力增大。并目當中間窄梁的長度約為兩邊窄梁長度的2倍時，器件的線性度*。雖然有雙島限位結構，但在高過載情況下，硅膜將首先從島的邊區(qū)和角區(qū)破裂。這是因為傳統(tǒng)的島膜結構都是采用常規(guī)的有掩模的各向異性混法腐沌，從硅片背面形成硅膜和背島。硅膜是品面，邊框和背大島側面都是品面，夾角為54.74°的銳角。根據(jù)力學原理，在角區(qū)存在應力集中效應，使硅膜在正面或背面受壓以后，角區(qū)會具有應力的極值，因此破裂首先從該處發(fā)生。引入應力勻散結構以后，使角區(qū)變成具有一定曲率的圓角區(qū)，使該區(qū)的應力極值下降。在硅膜與邊框或背島的交界外要形成有一定曲率半經(jīng)的緩變結構，采用一般的常規(guī)各向異性濕法腐蝕是無法實現(xiàn)的。為此，采用了掩模-無掩模各向異性濕法腐蝕技術。

在給定輸入壓力信號后，若變送器輸出過高(大干10VDC)，或輸出過低(小干2.0VDC)，目改變輸入壓力信號和調整零點，量程螺釘時輸出習無反應。對干這類故障，除檢查變送器測量部分敏咸部件有無異常外，應檢查變送器放大器板上“振蕩控制電路部分"作正常與否，高規(guī)變床器T1-12之間正常峰值電壓應為25~35VP-P:頻錄約為32kHz。其次檢查放大器板上各運算放大器的工作狀況:各部分的元器件有無損壞問題等，此類故障需要更換放大器板，變送器在線路設計和工藝裝配質量上要求都十分嚴格，在實際使用中對出現(xiàn)的線路故障，經(jīng)檢查確認后*與生產廠家聯(lián)系更換其故障線路板，以確保儀表長期工作的穩(wěn)定性和可靠性。

現(xiàn)場故障檢查施，現(xiàn)場出現(xiàn)的故障，絕大多數(shù)是由于壓力傳感器使用和安裝方法不當引起的，歸納起來有八個方面。1.一次元件(孔板、遠專測量接頭等)堵塞或安裝形式不對，取床點不合理。2引壓管泄漏或堵塞，充液管里有殘存氣體或充氣管里有殘存液體，變送器過程法蘭中存有沉積物，形成測量死區(qū)。3變送器接線不下確，電源電床過高成過低，指示表頭與儀表接線端子連接外接觸不良。4沒有嚴格按照技術要求安裝，安裝方式和現(xiàn)場環(huán)境不符合技術要求。