武漢赫茲電力導(dǎo)讀：全自動抗干擾介損測試儀（高壓介質(zhì)損耗測試儀）是赫茲電力產(chǎn)品研發(fā)部參照最新的行業(yè)標準以及電力試驗規(guī)程規(guī)范研發(fā)生產(chǎn)的高精度介質(zhì)損耗測試儀。采用了最新的變頻技術(shù)，濾掉了工頻現(xiàn)場產(chǎn)生的干擾，保證儀器在強電場干擾下準確測量。采用了高壓升壓變壓器，完善的過零合閘、防雷擊等安全保護措施，試驗過程中輸出0.5KV～10kV不同等級的高壓，使用過程中操作簡單、安全。適用于發(fā)電廠、變電、互感器制造廠家以及電力檢修部門。

　　相信很多人想了解影響介質(zhì)損耗因數(shù)測量結(jié)果的因素有哪些？下面就為大家一一介紹：

　?。?）溫度的影響。溫度對tanδ有直接影響，其程度隨絕緣材料、設(shè)備結(jié)構(gòu)的不同而異。一般情況下，tanδ隨溫度升高而增大，為了便于比較，應(yīng)將不同溫度下測得的tanδ值換算至20℃，再進行比較。

　　油浸式電力變壓器的溫度換算公式為：

　　tanδ2=tanδ1×1.3（t1-t2）/10

　　式中，tanδ1、tanδ2分別為t1、t2時的tanδ值。

　　由于被試品的真實平均溫度很難測準，對換算結(jié)果的正確性收到影響。因此，應(yīng)盡可能在10-30℃溫度下進行測量，最好每次在相近溫度下測量。

　　受潮的絕緣材料在0℃以下時水分會凍結(jié)，tanδ會降低。因此，過低溫度下測得的tanδ不能反映真實的絕緣狀況，故測量tanδ的溫度不應(yīng)低于5℃。

　?。?）試驗電壓的影響。良好絕緣的tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若內(nèi)部有缺陷，則其tanδ將隨試驗電壓的升高而明顯增加。

　?。?）Tanδ與試品電容的關(guān)系。對電容量較小的設(shè)備（如套管、互感器、耦合電容器等），測量tanδ能有效地發(fā)現(xiàn)局部集中性和整體分布性的缺陷。但對電容量較大的設(shè)備（如大、中型變壓器等），測量tanδ只能發(fā)現(xiàn)絕緣的整體分布性缺陷，因為局部集中性的缺陷所引起的損壞增加只占總損耗的極小部分，容易被掩蓋，設(shè)備絕緣結(jié)構(gòu)總是由許多部件構(gòu)成并包含多種材料，可以看成是由許多串、并聯(lián)等值回路組成。