IC芯片測(cè)試成本是影響制造和加工成本的重要因素。在某些情況下，測(cè)試成本可能占到器件總成本的40%左右。為了降低測(cè)試成本，可以優(yōu)化測(cè)試程序并研發(fā)多工位測(cè)試。同時(shí)，必須平衡良品率和測(cè)試時(shí)間，以實(shí)現(xiàn)最佳的成本控制。本篇文章納米軟件Namisoft將為大家分享國(guó)產(chǎn)IC芯片測(cè)試種類及國(guó)產(chǎn)IC芯片自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)。

IC芯片測(cè)試通常的測(cè)試項(xiàng)目種類：

• 功能測(cè)試：真值表，算法向量生成。

• 直流參數(shù)測(cè)試：開(kāi)路/短路測(cè)試，輸出驅(qū)動(dòng)電流測(cè)試，漏電電源測(cè)試，電源電流測(cè)試，轉(zhuǎn)換電平測(cè)試等。

• 交流參數(shù)測(cè)試：傳輸延遲測(cè)試，建立保持時(shí)間測(cè)試，功能速度測(cè)試，存取時(shí)間測(cè)試，刷新/等待時(shí)間測(cè)試，上升/下降時(shí)間測(cè)試。

直流參數(shù)測(cè)試

直流測(cè)試是基于歐姆定律的用來(lái)確定器件電參數(shù)的穩(wěn)態(tài)測(cè)試方法。比如，漏電流測(cè)試就是在輸入管腳施加電壓，這使輸入管腳與電源或地之間的電阻上有電流通過(guò)，然后測(cè)量其該管腳電流的測(cè)試。輸出驅(qū)動(dòng)電流測(cè)試就是在輸出管腳上施加一定電流，然后測(cè)量該管腳與地或電源之間的電壓差。

通常的DC測(cè)試包括 :

• 接觸測(cè)試（短路~開(kāi)路）：這項(xiàng)測(cè)試保證測(cè)試接口與器件正常連接。接觸測(cè)試通過(guò)測(cè)量輸入輸出管腳上保護(hù)二極管的自然壓降來(lái)確定連接性。二級(jí)管上如果施加一個(gè)適當(dāng)?shù)恼蚱秒娏?，二?jí)管的壓降將是0.7V左右，因此接觸測(cè)試就可以由以下步驟來(lái)完成：

1.所有管腳設(shè)為0V，

2.待測(cè)管腳上施加正向偏置電流”I”，

3.測(cè)量由”I”引起的電壓，

4.如果該電壓小于0.1V，說(shuō)明管腳短路，

5.如果電壓大于1.0V，說(shuō)明該管腳開(kāi)路，

6.如果電壓在0.1V和1.0V之間，說(shuō)明該管腳正常連接。

• 漏電（IIL,IIH,IOZ）：理想條件下，可以認(rèn)為輸入及三態(tài)輸出管腳和地之間是開(kāi)路的。但實(shí)際情況，它們之間為高電阻狀態(tài)。它們之間的最大的電流就稱為漏電流，或分別稱為輸入漏電流和輸出三態(tài)漏電流。漏電流一般是由于器件內(nèi)部和輸入管腳之間的絕緣氧化膜在生產(chǎn)過(guò)程中太薄引起的，形成一種類似于短路的情形，導(dǎo)致電流通過(guò)。

• 三態(tài)輸出漏電（IOZ）：是當(dāng)管腳狀態(tài)為輸出高阻狀態(tài)時(shí)，在輸出管腳使用VCC（VDD）或GND（VSS）驅(qū)動(dòng)時(shí)測(cè)量得到的電流。三態(tài)輸出漏電流的測(cè)試和輸入漏電測(cè)試類似，不同的是待測(cè)器件必須被設(shè)置為三態(tài)輸出狀態(tài)

• 轉(zhuǎn)換電平（VIL，VIH）：轉(zhuǎn)換電平測(cè)量用來(lái)決定器件工作時(shí)VIL和VIH的實(shí)際值。（VIL是器件輸入管腳從高變換到低狀態(tài)時(shí)所需的最大電壓值，相反，VIH是輸入管腳從低變換到高的時(shí)候所需的最小電壓值）。這些參數(shù)通常是通過(guò)反復(fù)運(yùn)行常用的功能測(cè)試，同時(shí)升高（VIL）或降低（VIH）輸入電壓值來(lái)決定的。那個(gè)導(dǎo)致功能測(cè)試失效的臨界電壓值就是轉(zhuǎn)換電平。這一參數(shù)加上保險(xiǎn)量就是VIL或VIH規(guī)格。保險(xiǎn)量代表了器件的抗噪聲能力。

• 輸出驅(qū)動(dòng)電流（VOL，VOH，IOL，IOH）：輸出驅(qū)動(dòng)電流測(cè)試保證器件能在一定的電流負(fù)載下保持預(yù)定的輸出電平。VOL和VOH規(guī)格用來(lái)保證器件在器件允許的噪聲條件下所能驅(qū)動(dòng)的多個(gè)器件輸入管腳的能力。

• 電源消耗（ICC，IDD，IEE）：該項(xiàng)測(cè)試決定器件的電源消耗規(guī)格，也就是電源管腳在規(guī)定的電壓條件下的最大電流消耗。電源消耗測(cè)試可分為靜態(tài)電源消耗測(cè)試和動(dòng)態(tài)電源消耗測(cè)試。靜態(tài)電源消耗測(cè)試決定器件在空閑狀態(tài)下時(shí)最大的電源消耗，而動(dòng)態(tài)電源消耗測(cè)試決定器件工作時(shí)的最大電源消耗。

  交流參數(shù)測(cè)試

  交流參數(shù)測(cè)試測(cè)量器件晶體管轉(zhuǎn)換狀態(tài)時(shí)的時(shí)序關(guān)系。交流測(cè)試的目的是保證器件在正確的時(shí)間發(fā)生狀態(tài)轉(zhuǎn)換。輸入端輸入邊沿，特定時(shí)間后在輸出端檢測(cè)預(yù)期的狀態(tài)轉(zhuǎn)換。

  常用的交流測(cè)試有傳輸延遲測(cè)試，建立和保持時(shí)間測(cè)試，以及頻率測(cè)試等。

  傳輸延遲測(cè)試是指在輸入端產(chǎn)生一個(gè)狀態(tài)（邊沿）轉(zhuǎn)換和導(dǎo)致相應(yīng)的輸出端的狀態(tài)（邊沿）轉(zhuǎn)換之間的延遲時(shí)間。該時(shí)間從輸入端的某一特定電壓開(kāi)始到輸出端的某一特定電壓結(jié)束。

IC芯片自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)平臺(tái)——ATECLOUD

ATECLOUD是智能化測(cè)試的一套控制系統(tǒng)。本系統(tǒng)主要用于程控設(shè)備自動(dòng)化測(cè)試，可應(yīng)用于芯片自動(dòng)化測(cè)試、電源模塊自動(dòng)化測(cè)試、射頻器件自動(dòng)化測(cè)試、新能源測(cè)試等等。儀器全生命管理、測(cè)試方案15min搭建，實(shí)現(xiàn)任何時(shí)間、任何地點(diǎn)、滿足用戶的遠(yuǎn)程測(cè)試要求；自定義報(bào)告模板，可實(shí)現(xiàn)快速建立、快速修改；測(cè)試大數(shù)據(jù)分析，充分利用大數(shù)據(jù)、云計(jì)算，發(fā)揮數(shù)據(jù)的無(wú)限價(jià)值，數(shù)據(jù)可視化為用戶提供第一手的測(cè)試數(shù)據(jù)；通過(guò)智能化測(cè)試及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、計(jì)算、分析管理等功能，提高測(cè)試效率及產(chǎn)能，降低人工成本，提高經(jīng)濟(jì)效益。

ATECLOUD智能云測(cè)試平臺(tái)，提供豐富的設(shè)備庫(kù)和測(cè)試解決方案，旨在幫助用戶快速搭建自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)，可應(yīng)用于芯片自動(dòng)化測(cè)試、電源模塊自動(dòng)化測(cè)試、射頻器件自動(dòng)化測(cè)試、新能源測(cè)試等等。建立全球自動(dòng)化測(cè)試生態(tài)鏈。系統(tǒng)采用分布式結(jié)構(gòu)，每個(gè)服務(wù)獨(dú)立運(yùn)行，擁有強(qiáng)大的兼容性和可擴(kuò)展性。ATECLOUD智能云測(cè)試平臺(tái)詳情介紹：