1、ALD在太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的應(yīng)用

應(yīng)用于光伏太陽(yáng)能電池的材料可分為硅基材料（單晶，多晶，非晶），CdTe, CuInGaSe和CuInGaS。太陽(yáng)能電池類(lèi)型可以分為4大類(lèi)：a、硅基太陽(yáng)能電池（單晶，多晶）；b、第二代薄膜太陽(yáng)能電池(a-Si，CeTe，CIGS)；c、第三代太陽(yáng)能電池包含量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池，聚合物太陽(yáng)能電池，染料敏化太陽(yáng)能電池以及聚光型太陽(yáng)能電池；d、鈣鈦礦結(jié)構(gòu)太陽(yáng)能電池。ALD 鍍層可以作為表面鈍化層，緩沖池，窗戶層，吸收層，電子/空穴接觸或者透明導(dǎo)電氧化物。

2、ALD在硅太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

ALD基材料在c-Si太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用始于Al₂O₃，Al₂O₃是一種非常有效的表面鈍化層，被發(fā)現(xiàn)可以顯著提高c-Si太陽(yáng)能電池的效率并應(yīng)用于大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化中。此后的研究中，ALD的應(yīng)用研究從表面鈍化層擴(kuò)展到載流子傳輸材料。

3、ALD在薄膜及有機(jī)、鈣鈦礦太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

ALD在薄膜太陽(yáng)能電池上的應(yīng)用主要是由對(duì)納米層沉積和界面改性的要求驅(qū)動(dòng)的，按功能層可將其分為吸收層，緩沖層，界面鈍化層和透明導(dǎo)電氧化物層等。金屬氧化物在有機(jī)、鈣鈦礦及硅/鈣鈦礦疊層等高效電池的制備中也有廣泛的應(yīng)用。無(wú)論是作為電子/空穴傳輸層、復(fù)合層還是封裝層，ALD一直扮演著至關(guān)重要的角色。

4、ALD在量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用

在量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池中，ALD沉積常用于量子點(diǎn)的表面修飾及吸收層制備，對(duì)于制造高效的量子點(diǎn)太陽(yáng)能電池至關(guān)重要。ALD還可以用于制備n型/p型透明導(dǎo)電電極，其生長(zhǎng)的2D材料可以輕松集成到太陽(yáng)能電池中，并有助于制造出更高效，輕便的太陽(yáng)能面板。