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陰極發(fā)光設(shè)備（SEM-CL）在光電與薄膜電池材料的針孔檢測(cè)方面的應(yīng)用
對(duì)于光伏(PV)和薄膜電池(TFB)來(lái)說(shuō)，要在成本上與化石燃料和傳統(tǒng)電池競(jìng)爭(zhēng)，高制造成品率至關(guān)重要。CdTe/CdS和CdS/CIGS光伏器件的CdS層以及tbs的LiPON層的針孔導(dǎo)致良率損失和性能降低。掃描電鏡（SEM）平面視圖分析沒(méi)有深度分辨率來(lái)確定孔是否穿透一層。
Attolight CL技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于:
通過(guò)對(duì)單元過(guò)程進(jìn)行針孔檢測(cè)，縮短了開(kāi)發(fā)時(shí)間;可以比較工藝變量和沉積方法對(duì)針孔形成的影響。
在針孔檢測(cè)過(guò)程中評(píng)估缺陷密度和成分梯度。
快速自動(dòng)繪圖:65秒內(nèi)完成25 μm × 25 μm面積的繪圖。
CL通過(guò)檢測(cè)來(lái)自底層的光來(lái)檢測(cè)針孔，如下圖所示:
下面的SEM圖像和CL圖顯示了該技術(shù)在SnO2化學(xué)鍍液沉積的CdS上的針孔的實(shí)際應(yīng)用。發(fā)射圖譜如下：
CdS(掃描電鏡中的光區(qū)):綠色(帶隙)和紅色(中隙缺陷狀態(tài))。
針孔(SEM中的黑色區(qū)域):藍(lán)色(中間隙缺陷狀態(tài))來(lái)自孔底部的SnO2。
圓對(duì)應(yīng)于單個(gè)CL點(diǎn)。圓直徑=電子相互作用體積(100 nm@5keV)。
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