1、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C，保持4個(gè)小時(shí);請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試，非常重要，因?yàn)橥姞顟B(tài)下，芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20°C以上溫度，所以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過低溫測(cè)試，必須先將其“凍透”，再次通電進(jìn)行測(cè)

2、開機(jī)，對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試，對(duì)比性能與常溫相比是否正常。

3、進(jìn)行老化測(cè)試，觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。

4、升溫到+90°C，保持4個(gè)小時(shí)，與低溫測(cè)試相反，升溫過程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個(gè)小時(shí)后，執(zhí)行2、3、4測(cè)試步驟。

5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。

如果測(cè)試過程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗。

高溫環(huán)境對(duì)設(shè)備的主要影響有：

1. 填充物和密封條溶化或融化；

2. 潤(rùn)滑劑粘度降低，揮發(fā)加速，潤(rùn)滑作用減小；

3. 電子電路穩(wěn)定性下降，絕緣損壞；

4. 加速高分子材料和絕緣材料老化，包括氧化、開裂、化學(xué)反應(yīng)等；

5. 材料膨脹造成機(jī)械應(yīng)力加大或磨損加大。