HMMC-1015是一種單片、電壓可變的GaAs IC衰減器，可工作
從DC到50GHz。HMMC?1015的分布式拓撲結(jié)構(gòu)最大限度地減少了寄生
其串聯(lián)和并聯(lián)FET的效應，使HMMC-1015呈現(xiàn)出廣泛的動態(tài)
在其整個帶寬范圍內(nèi)。片上直流參考電路可用于維護
任何衰減設(shè)置的最佳VSWR或改善衰減與電壓的關(guān)系
衰減器電路的線性

HMMC-1015設(shè)計用于ALC組件中的增益控制塊。

由于HMMC-1015具有較寬的動態(tài)范圍和回波損耗性能

也可用作寬帶脈沖調(diào)制器或單極單擲、無反射

轉(zhuǎn)換

活動

HMMC?1002的衰減值通過施加負電壓進行調(diào)整

到V2。在任何衰減設(shè)置下，通過施加負電壓可獲得最佳VSWR

電壓為V1。將負電壓（V2）施加到分流FET的柵極設(shè)置

源極到漏極電阻，并建立衰減水平。應用負數(shù)

到串聯(lián)FET的柵極的電壓（V1）優(yōu)化了的輸入和輸出匹配

不同的衰減設(shè)置。在一些應用中，V1的單個設(shè)置可以提供

在期望的衰減范圍（V2）上有足夠的輸入和輸出匹配。對于任何

HMMC-1015可以調(diào)整V1的值，使得器件衰減與

電壓對于V1和V2都是單調(diào)的；然而，這將sl

也可以控制HMMC-1015的衰減和輸入/輸出匹配

通過利用片上直流參考電路和

驅(qū)動器電路如圖4所示。該電路針對任何衰減設(shè)置優(yōu)化VSWR。

由于工藝變化，VREF、RREF和RL的值各不相同

如果需要最佳性能，則使用晶圓。給出了這些元素的典型值。

電阻器R1和R2的比率決定了衰減對

衰減器的電壓性能。有關(guān)性能的更多信息

HMMC-1015和前面提到的驅(qū)動器電路，參見WPTC的應用

注：HMMC-1021衰減器：衰減控制，文獻編號5991-3555EN。對于

更多S參數(shù)信息，請參閱WPTC的應用說明，HMMC-1015衰減器：

S參數(shù)，文獻編號5991-3556EN。

裝配技術(shù)

GaAs MMIC對ESD敏感。必須在所有方面采取ESD預防措施