Qorvo的UF3C065080B3 650 V，80 mohm RDS（on）SiC FET器件基于的級聯(lián)電路配置，其中常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，以產生常關SiC FET設備。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現成的柵極驅動器，因此在更換Si IGBT、Si超結器件或SiC MOSFET時需要最少的重新設計。該器件采用D2PAK-3L封裝，具有超低柵極電荷和的反向恢復特性，非常適合與推薦的RC緩沖器一起使用時切換電感負載，以及任何需要標準柵極驅動的應用。Qorvo的CMD177C3是一款無引線表面安裝封裝的通用雙平衡混頻器，可用于6至14 GHz之間的上變頻和下變頻應用。CMD177C3混頻器MMIC由于優(yōu)化的巴倫結構，對RF和IF端口都具有非常高的隔離度，并且可以在低至+9dBm的LO驅動電平下工作。CMD177C3可以很容易地配置為具有外部混合器和功率分配器的圖像抑制混頻器或單邊帶調制器。Qorvo的CMD182C4是一款緊湊型GaAs RF/微波I/Q混頻器MMIC，采用無引線表面安裝（SMT）封裝，可用作圖像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD182C4 I/Q混頻器MMIC采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混頻器。需要一個外部IF混頻器來完成圖像抑制。CMD182C4 MMIC混頻器是混合鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的更小、成本更低的替代品。