Qorvo的UF3C065080B3 650 V,80 mohm RDS(on)SiC FET器件基于的級聯(lián)電路配置,其中常開SiC JFET與Si MOSFET共同封裝,以產(chǎn)生常關SiC FET設備。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅動器,因此在更換Si IGBT、Si超結器件或SiC MOSFET時需要最少的重新設計。該器件采用D2PAK-3L封裝,具有超低柵極電荷和的反向恢復特性,非常適合與推薦的RC緩沖器一起使用時切換電感負載,以及任何需要標準柵極驅動的應用。Qorvo的CMD177C3是一款無引線表面安裝封裝的通用雙平衡混頻器,可用于6至14 GHz之間的上變頻和下變頻應用。CMD177C3混頻器MMIC由于優(yōu)化的巴倫結構,對RF和IF端口都具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9dBm的LO驅動電平下工作。CMD177C3可以很容易地配置為具有外部混合器和功率分配器的圖像抑制混頻器或單邊帶調制器。Qorvo的CMD182C4是一款緊湊型GaAs RF/微波I/Q混頻器MMIC,采用無引線表面安裝(SMT)封裝,可用作圖像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD182C4 I/Q混頻器MMIC采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混頻器。需要一個外部IF混頻器來完成圖像抑制。CMD182C4 MMIC混頻器是混合鏡像抑制混頻器和單邊帶上變頻器組件的更小、成本更低的替代品。
相關產(chǎn)品
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源:化工儀器網(wǎng)”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權或有權使用的作品,未經(jīng)本網(wǎng)授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權使用作品的,應在授權范圍內使用,并注明“來源:化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關法律責任。
- 本網(wǎng)轉載并注明自其他來源(非化工儀器網(wǎng))的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責,不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉載時,必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源,并自負版權等法律責任。
- 如涉及作品內容、版權等問題,請在作品發(fā)表之日起一周內與本網(wǎng)聯(lián)系,否則視為放棄相關權利。