半導體材料作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分，半導體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導體；制造材料主要是將硅晶圓或化合物半導體加工成芯片所需的各類材料；封裝材料則是將制得的芯片封裝切割過程中所用到的材料。

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基體材料

根據(jù)芯片材質(zhì)不同，基體材料主要分為硅晶圓和化合物半導體，其中硅晶圓的使用范圍zui廣，是集成電路制造過程中最為重要的原材料。

1、硅晶圓

硅晶圓片全部采用單晶硅片，對硅料的純度要求較高，因此其制造壁壘較高。一般而言，硅片尺寸越大，硅片切割的邊緣損失就越小，每片晶圓能切割的芯片數(shù)量就越多，半導體生產(chǎn)效率越高，相應(yīng)成本越低。

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2、化合物半導體

主要是指砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等第二、三代半導體。在化合物半導體中，砷化鎵（GaAs）具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、擊穿電壓高等特性，廣泛應(yīng)用于射頻、功率器件、微電子、光電子及guo 防jun工等領(lǐng)域。氮化鎵（GaN）能夠承載更高的能量密度，且可靠性更高，其在手機、衛(wèi)星、航天等通信領(lǐng)域，以及光電子、微電子、高溫大功率器件和高頻微波器件等非通信領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用；碳化硅（SiC）具有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率等特性，主要作為高功率半導體材料，通常應(yīng)用于汽車及工業(yè)電力電子等領(lǐng)域，在大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域應(yīng)用較為廣泛。