手機版
化工儀器網(wǎng)手機版
化工儀器網(wǎng)小程序
官方微信
公眾號：chem17
掃碼關(guān)注視頻號
半絕緣碳化硅與導(dǎo)電性碳化硅在電特性和應(yīng)用領(lǐng)域上差異顯著。半絕緣碳化硅，作為一種電阻率較高的材料，其電阻率范圍通常在10^5-10^12Ω.cm，非常適用于高溫、高電壓環(huán)境，如電力電子設(shè)備和電動汽車部件。而導(dǎo)電性碳化硅，電阻率低，位于10^-3-10^-2Ω.cm之間，更適合低壓、高電流場景，如功率半導(dǎo)體和射頻電子器件。此外，由于成分和制備工藝的差異，導(dǎo)電性碳化硅的成本相對較高，而半絕緣碳化硅則因其電性能要求較低而成本更為親民。因此，在選擇材料時，需根據(jù)具體應(yīng)用環(huán)境來決定：高溫高壓選半絕緣，低壓高流選導(dǎo)電，以確保最佳性能和成本效益。半絕緣型碳化硅襯底的制備關(guān)鍵在于去除晶體中的雜質(zhì)，特別是淺能級雜質(zhì)，以實現(xiàn)高電阻率。在高溫條件下，PVT法制備碳化硅襯底時，碳化硅粉料和石墨材料等會釋放出雜質(zhì)并生長進入晶體，影響晶體的純度和電學(xué)性能。企業(yè)已將半絕緣型碳化硅襯底的電阻率穩(wěn)定控制在108Ω·cm以上
相關(guān)產(chǎn)品
免責聲明
- 凡本網(wǎng)注明“來源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責任。
- 本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點和對其真實性負責，不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網(wǎng)站或個人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來源，并自負版權(quán)等法律責任。
- 如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問題，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
采購中心