JESD22-A108-B是JESD22-A108-A的修訂版。
標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)適用的文件：
    EIA/JESD 47 —— Stress-Test Driven Qualification of Integrated Circuits
    EIA/JEP 122 —— Failure Mechanism and Models for Silicon Semiconductor Devices（硅半導(dǎo)體器件的失效機(jī)理和模型）

    試驗(yàn)室溫度應(yīng)保持在特定溫度的+/- 5℃內(nèi)
    zui大電源電壓應(yīng)遵守規(guī)格書內(nèi)的規(guī)范；zui大額定電壓和zui大額定結(jié)溫，一般由制造商根據(jù)特定的設(shè)備或技術(shù)給定。

1. 應(yīng)力持續(xù)時(shí)間
    由內(nèi)部質(zhì)量要求、EIA/JESD 47 或適當(dāng)?shù)牟少?gòu)文件制定。

2. 應(yīng)力條件（持續(xù)提供）
（1）環(huán)境溫度
    除特殊要求，高溫應(yīng)根據(jù)zui小結(jié)溫在125℃以下調(diào)整；除特殊要求，低溫zui大值為-10℃。
（2）工作電壓
    一般工作電壓應(yīng)為器件規(guī)定的zui大工作電壓?？梢允褂酶叩墓ぷ麟妷?，以便從電壓和溫度上加速壽命試驗(yàn)，但一定不能超過(guò)zui大額定電壓。

3. 偏置配置
    包括靜態(tài)或脈沖應(yīng)力和動(dòng)態(tài)應(yīng)力。
    根據(jù)偏置配置、電源電壓、輸入電壓是接地或上升到zui大值的選擇來(lái)確定應(yīng)力溫度，但不高與zui大額定結(jié)溫。
    器件輸出可加負(fù)載也可不加負(fù)載，以達(dá)到特定的輸出電平。
（1）HTFB（高溫正向偏置試驗(yàn)）
    一般用在功率器件、二極管和分立晶體管器件，不用在集成電路。
    設(shè)定在靜態(tài)或脈沖正向偏壓模式。脈沖模式用來(lái)驗(yàn)證器件在zui大額定電流附近承受的應(yīng)力。特定的偏置條件應(yīng)由器件內(nèi)固體結(jié)的zui大數(shù)量來(lái)決定。
（2）HTLO/LTOL（高溫工作壽命試驗(yàn)/低溫工作壽命試驗(yàn)）
    HTOL一般用在邏輯或存儲(chǔ)器件；LTOL一般用來(lái)尋找熱載流子引起的失效，或用來(lái)試驗(yàn)存儲(chǔ)器件或亞微米尺寸的器件。
    器件工作在動(dòng)態(tài)工作模式。
    一般，一些輸入?yún)?shù)也許被用來(lái)調(diào)整控制內(nèi)部功耗，例如電源電壓、時(shí)鐘頻率、輸入信號(hào)等，這些參數(shù)也許工作在特定值之外，但在應(yīng)力下會(huì)產(chǎn)生可預(yù)見的和非破壞性的行為。
    特定的偏置條件應(yīng)由器件內(nèi)潛在的zui大數(shù)量的工作節(jié)點(diǎn)確定。
（3）HTRB（高溫反向偏置試驗(yàn)）
    HTRB用來(lái)試驗(yàn)功率器件。
    器件一般工作在靜態(tài)測(cè)試模式，試驗(yàn)在zui大額定擊穿電壓和/或電流附件器件承受的應(yīng)力。
（4）HTGB（高溫們偏置試驗(yàn)）
    HTGB一般用在功率器件試驗(yàn)。
    器件一般工作在靜態(tài)模式，試驗(yàn)在zui大額定氧化物擊穿電壓附件器件承受的應(yīng)力。

4. 冷卻
    在移除偏置前，高溫應(yīng)力下的器件應(yīng)冷卻到55℃以下。
    為了移動(dòng)器件到與壽命測(cè)試的試驗(yàn)室分離的冷卻位置上而中斷偏置長(zhǎng)達(dá)一分鐘的情況不應(yīng)視為移除偏置。
    所有制定的電子測(cè)量應(yīng)在所有器件重加熱錢完成。

**偏置是指加載到電源引腳上的電壓。