無掩膜直寫光刻設(shè)備定義為一種無需物理掩膜版、通過計算機控制的高精度光束(如激光束或數(shù)字微鏡器件)直接在光刻膠或感光材料的基材上曝光圖形的微納加工設(shè)備,適用于微納米級圖形制備。其核心技術(shù)基于光學(xué)或帶電粒子束(如激光直寫、DMD投影)直接掃描或投影圖案,消除了掩膜版制作環(huán)節(jié),實現(xiàn)高精度圖形轉(zhuǎn)移。設(shè)備的核心優(yōu)勢包括高靈活性、快速原型制造能力,以及顯著降低研發(fā)成本和時間周期。主要應(yīng)用于科研機構(gòu)、實驗室及小批量工業(yè)原型制造(如微流控芯片、半導(dǎo)體器件開發(fā))。
工作原理:
激光直寫技術(shù):聚焦激光束掃描曝光,最小分辨率達0.5μm(405nm光源)。
DMD投影技術(shù):計算機生成圖形控制DMD微鏡反射紫外光,實現(xiàn)高速面掃描(如每秒數(shù)百萬束光)。
對比傳統(tǒng)掩膜光刻:
掩膜版依賴:
傳統(tǒng)掩膜光刻:必需,成本高周期長
無掩膜直寫光刻:省略
圖案修改:
傳統(tǒng)掩膜光刻:需重新制版,耗時耗資
無掩膜直寫光刻:計算機實時調(diào)整
小批量適配性:
傳統(tǒng)掩膜光刻:經(jīng)濟性差
無掩膜直寫光刻:成本效率優(yōu)解
三維加工:
傳統(tǒng)掩膜光刻:受限
無掩膜直寫光刻:灰階曝光直接實現(xiàn)
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