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落地式X射線衍射儀主要用于通過(guò)X射線衍射原理分析物質(zhì)的晶體結(jié)構(gòu)、織構(gòu)及應(yīng)力狀態(tài)，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、礦物學(xué)、物理學(xué)等領(lǐng)域。
該設(shè)備可測(cè)定晶體材料的晶胞參數(shù)(如晶面間距)、原子坐標(biāo)位置，以及材料的物相組成和晶體取向分布。通過(guò)衍射峰的位置、強(qiáng)度及形狀，可實(shí)現(xiàn)定性分析和定量分析，適用于金屬、陶瓷、薄膜、聚合物等各類材料。設(shè)備配備分析軟件有助于分析測(cè)量、查看數(shù)據(jù)以及轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)，還可以傳輸以及管理，輕松實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)數(shù)據(jù)對(duì)接共享。界面直觀、用戶友好、操作簡(jiǎn)單，無(wú)需培訓(xùn)，即使非技術(shù)人員也可輕松掌握。
關(guān)鍵組件
X射線發(fā)生器：高功率(如9kW)、穩(wěn)定性優(yōu)于0.1%，支持Cu、Mo等靶材切換。
測(cè)角儀：雙軸聯(lián)動(dòng)機(jī)構(gòu)，角度定位精度0.0025°，支持2θ范圍0-145°掃描。
探測(cè)器：高速一維硅陣列探測(cè)器，計(jì)數(shù)率>4×10? cps，背景噪聲<0.2 cps。
樣品臺(tái)：兼容粉末、塊體、薄膜樣品，支持透射/反射模式及高溫(室溫-1200℃)、低溫等非常規(guī)條件測(cè)試。
操作流程與注意事項(xiàng)
樣品制備
粉末樣品：研磨至微米級(jí)(過(guò)300目篩)，采用背壓法制片，確保表面平整。塊體/薄膜：尺寸1×1 cm至2.4×2.4 cm，厚度<1 cm，標(biāo)注測(cè)試面。
儀器校準(zhǔn)：使用標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)(如硅、Al?O?)校準(zhǔn)角度與強(qiáng)度，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性。每月執(zhí)行探測(cè)器校驗(yàn)，角度偏差>0.0025°時(shí)需硬件調(diào)校。
安全規(guī)范
實(shí)驗(yàn)環(huán)境：溫度波動(dòng)±0.5℃/h，濕度<60%，避免振動(dòng)干擾。
防護(hù)措施：佩戴防護(hù)眼鏡、手套，操作時(shí)關(guān)閉保護(hù)門，防止X射線泄漏。
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