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在MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）、功率器件、生物芯片等領(lǐng)域，深硅刻蝕技術(shù)通過對硅材料進(jìn)行高精度縱深加工，成為構(gòu)建三維微納結(jié)構(gòu)的“核心雕刻工具”，其應(yīng)用覆蓋從微米級到納米級的復(fù)雜結(jié)構(gòu)制備。?
MEMS器件制造是深硅刻蝕的典型應(yīng)用領(lǐng)域。在加速度傳感器生產(chǎn)中，采用感應(yīng)耦合等離子體（ICP）刻蝕技術(shù)，在硅片上刻蝕出深度達(dá)50-200μm的梳齒結(jié)構(gòu)，刻蝕垂直度偏差小于1°，確保器件在加速度變化時(shí)的電容變化線性度；微型陀螺儀的振動腔體則通過博世工藝實(shí)現(xiàn)周期性刻蝕與鈍化，形成側(cè)壁光滑的深槽，深寬比可達(dá)50:1，滿足高頻振動時(shí)的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性要求。?
功率半導(dǎo)體器件中，深硅刻蝕用于構(gòu)建垂直導(dǎo)電通道。在IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）制造中，通過深硅刻蝕在硅片上形成深度100-300μm的溝槽，再填充絕緣材料，實(shí)現(xiàn)器件的高壓隔離，使擊穿電壓提升至1200V以上，滿足新能源汽車逆變器的高壓需求；第三代半導(dǎo)體的SiC基器件則依賴反應(yīng)離子刻蝕（RIE）系統(tǒng)，刻蝕出深度5-20μm的柵極溝槽，提升器件的開關(guān)速度與散熱性能。?
生物芯片領(lǐng)域，深硅刻蝕助力微流控芯片的功能實(shí)現(xiàn)。通過刻蝕深度10-50μm的微通道網(wǎng)絡(luò)，模擬人體血管或組織液流動環(huán)境，用于藥物篩選時(shí)可精準(zhǔn)控制試劑流量（低至納升/分鐘）；細(xì)胞培養(yǎng)芯片中的微柱陣列結(jié)構(gòu)，通過深硅刻蝕形成直徑5μm、間距10μm的柱狀凸起，為細(xì)胞提供三維生長支架，便于觀察細(xì)胞間的相互作用。此外，深硅刻蝕在光通信器件中用于制備硅基波導(dǎo)，通過刻蝕出寬度200-500nm的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)光信號的高效傳輸與調(diào)制，推動光模塊向小型化、高密度方向發(fā)展。
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