中國制造2025-集成電路及設(shè)備 
集成電路是指通過半導體工藝將大量電子元器件集成而成的具
有特定功能的電路。本路線圖主要包括集成電路設(shè)計、集成電路制造、
集成電路測試封裝、關(guān)鍵裝備和材料等內(nèi)容。 
1 需求 
 集成電路市場規(guī)模在2011至2015 年間約為2920 – 3280 億
美元，復合年均增長率為 4%；2016 至 2020 年間約為 3280 – 4000
億美元，復合年均增長率為 4%；2021 至 2030 年間約為 4000 – 5375
億美元，復合年均增長率為 3%。 
 中國集成電路市場規(guī)模在 2011 至 2015 年間約為 840 – 1180 億
美元，復合年均增長率為 12%；2016 至 2020 年間約為 1180 – 1734
億美元，復合年均增長率為 8%；2021 至 2030 年間約為 1734 – 2445
億美元，復合年均增長率為 3.5%。 
 中國集成電路市場在 2015 年將占到市場的 36%，2020 年上升
至 43.35%，而到 2030 年將占到 46%，成為zui大集成電路市場。 
 中國集成電路的本地產(chǎn)值在 2015 年預計達到 483 億美元，滿足國
內(nèi) 41%的市場需求；2020 年預計達到 851 億美元，滿足國內(nèi) 49%的市
場需求；2030 年預計達到 1837 億美元，滿足國內(nèi) 75%的市場需求。
從上述數(shù)據(jù)可以看到，滿足國內(nèi)市場需求，提升集成電路產(chǎn)品自給率，
同時滿足國家安全需求、占領(lǐng)戰(zhàn)略性產(chǎn)品市場，始終是集成電路產(chǎn)業(yè)
發(fā)展的zui大需求和動力。 
    
2 目標 
面向國家戰(zhàn)略和產(chǎn)業(yè)發(fā)展兩個需求，著力發(fā)展集成電路設(shè)計業(yè)，
加速發(fā)展集成電路制造業(yè)，提升先進封裝測試業(yè)發(fā)展水平，突破集成
電路關(guān)鍵裝備和材料。 
  到 2020 年，集成電路產(chǎn)業(yè)與先進水平的差距逐步縮小，全
行業(yè)銷售收入年均增速超過 20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強。移
動智能終端、網(wǎng)絡(luò)通信、云計算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等重點領(lǐng)域集成電
路設(shè)計技術(shù)達到水平，產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系初步形成。16/14nm 制
造工藝實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，封裝測試技術(shù)達到水平，關(guān)鍵裝備和
材料進入采購體系，基本建成技術(shù)先進、安全可靠的集成電路產(chǎn)
業(yè)體系。 
  到 2030 年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到先進水平，一批
企業(yè)進入*梯隊，實現(xiàn)跨越發(fā)展。 
3 發(fā)展重點 
1.集成電路設(shè)計 
（1）服務(wù)器/桌面 CPU 
 單核/雙核服務(wù)器/桌面計算機 CPU、多核服務(wù)器/桌面計算機 CPU、
眾核服務(wù)器/桌面計算機 CPU 
（2）嵌入式 CPU 
 低功耗高性能嵌入式 CPU、低功耗多核嵌入式 CPU、超低功耗眾核
嵌入式 CPU 
（3）存儲器 
    
 隨機存儲器（DRAM）及嵌入式隨機存儲器（eDRAM）、閃存存儲器
（Flash）及三維閃存存儲器（V-NAND Flash） 
（4）FPGA 及動態(tài)重構(gòu)芯片 
 FPGA（現(xiàn)場可編程邏輯陣列）、動態(tài)可重構(gòu)平臺 
（5）集成電路設(shè)計方法學 
 SoC（系統(tǒng)級芯片）設(shè)計、ESL（電子系統(tǒng)級）設(shè)計、3D-IC 設(shè)計 

 集成電路制造 
（1）新器件 
 HK 金屬柵及 SiGe/SiC 應(yīng)力、FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）、量子
器件 
（2）光刻技術(shù) 
 兩次曝光、多次曝光、EUV（極紫外光刻）、電子束曝光、193nm
光刻膠、EUV 光刻膠 
（3）材料及成套技術(shù) 
 65-32nm 光掩膜材料及成套技術(shù)、20-14nm 光掩膜材料級成套技術(shù) 

集成電路封裝 
（1）倒裝封裝技術(shù) 
 大面積倒裝芯片球陣列封裝 
（2）多芯片封裝 
 雙芯片封裝、三維系統(tǒng)級封裝（3D SIP）、多元件集成電路（MCO） 
 

4 重大裝備及關(guān)鍵材料 
制造裝備 
    
 90-32nm 工藝設(shè)備、20-14nm 工藝設(shè)備、18 英寸工藝設(shè)備 

2.光刻機 
 90nm 光刻機、浸沒式光刻機、EUV 光刻機 

3.制造材料 
 65-32nm 工藝材料、22-14nm 工藝材料、12/18 英寸硅片 

4.封裝設(shè)備及材料 
 高密度封裝設(shè)備及配套材料、TSV 制造部分關(guān)鍵設(shè)備及材料 

戰(zhàn)略支撐和保障 
1.根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，逐步擴大國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金規(guī)模
或設(shè)立二期、三期基金。 
2.加強現(xiàn)有政策和資源的協(xié)同，如：集成電路研發(fā)專項、國家科
技重大專項在支持共性技術(shù)研發(fā)，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金支持產(chǎn)
業(yè)化發(fā)展，這些資源要加強協(xié)同，形成合力。 
3.加強人力資源培養(yǎng)和引進，加強微電子學科建設(shè)支持。 
4.制定技術(shù)引進、消化、吸收政策，給予扶持。 
5.建立知識產(chǎn)權(quán)保護聯(lián)動機制。

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