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DE500 SPUTTER 北京光電實驗室DE500 Sputter 磁控濺射系統(tǒng)

具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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德儀科技有限公司專業(yè)進口美國磁控濺射、電子束蒸發(fā)、熱蒸發(fā)和脈沖激光真空薄膜沉積設(shè)備,以及磁控濺射源/電源、電子束蒸發(fā)源、濺射靶材和蒸發(fā)材料、閥門、真空計和流量計、真空密封穿導(dǎo)件等各種真空部件。十幾年來,憑著的品質(zhì),*的技術(shù)和周到的技術(shù)服務(wù),德儀公司的產(chǎn)品為中國的高校、科研院所及企業(yè)的薄膜沉積工作提供了有力的支持!


      我們期待為您提供Z適合您使用的真空薄膜沉積設(shè)備和部件! 


 Sputter 磁控濺射薄膜沉積系統(tǒng)

                  E-Beam 
電子束蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng) 

                  Thermal 
熱阻蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)

                  PLD 
脈沖激光鍍膜系統(tǒng) 

                  Sputter Sources 
磁控濺射陰極

                  DC/RF Power Supply 
直流/射頻電源

                  E-Beam Sources 
電子束蒸發(fā)源 

                  Thermal EVP Sources 
熱蒸發(fā)源

                  Deposition Materials 
濺射靶材和蒸發(fā)鍍膜材料

                  Sample Manipulator 
樣品臺 

                  Feedthroughs 
電子穿導(dǎo)器件

                  Vacuum Valves 
真空閥門 

                  Vacuum Components 
真空配件 



Sputter 薄膜沉積系統(tǒng)

E-Beam 蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)

Thermal 蒸發(fā)薄膜沉積系統(tǒng)

PLD 鍍膜系統(tǒng)

OLED 薄膜沉積系統(tǒng)

ALD 薄膜沉積系統(tǒng)

Sputter Sources 磁控濺射陰極

DC/RF Power Supply 直流/射頻電源

E-Beam Sources 電子束蒸發(fā)源

Thermal EVP Sources 熱蒸發(fā)源

Deposition Materials 濺射靶材和蒸發(fā)鍍膜材料

Sample Manipulator 樣品臺

Feedthroughs 電子穿導(dǎo)器件

Vacuum Valves 真空閥門

Vacuum Components 真空配件

Over View and Application

DE500 Magnetron Sputter with sputtering chamber of four sputter sources and one sample stage for loading the substrate up to

 6” diameter, the sputter chamber base vacuum pressure is10-8 Torr, it can be used to sputter metals, semiconductor or 

insulation materials, it also can sputter alloy film or multi layer film, especially it can be used to sputter very thin

 film for some typical materials base on the very low sputter pressure, this is the ideal tools for thin film R&D for the university 

and academy.

 

概述和應(yīng)用

DE500磁控濺射儀主要包括濺射腔體,4個濺射源和一個樣品臺可裝載并濺射zui大六英寸樣品,系統(tǒng)極限真空度10-8托,可用于

濺射金屬、半導(dǎo)體及介質(zhì)材料,可用于濺射合金及多層薄膜材料,特別的是可以維持很低的濺射氣壓因此可以濺射非常薄的膜層,

是大專院校和科研院所從事材料和薄膜研究的理想平臺

 

 

Features:

特點:

 

Good Film Uniformity and repeatability     

很好的薄膜均勻性和重復(fù)性

 

Safety interlock for critical components

關(guān)鍵部件安全互鎖保護

 

Configuration

主要配置

 

Magnetron Sputter Chamber

濺射真空腔室

D shape, 304 stainless steel chamber with viewport

磁控濺射腔體為304不銹鋼,并有觀察窗

Vacuum Pumping

真空泵

Turbo pump and dry rough pump with sputter chamber

濺射室配備分子泵和無油機械泵

Vacuum Valve

真空閥門

Pneumatic operation high vacuum and isolation gate valves

氣動控制高真空和隔離插板閥門

Chamber Vent Valve, Rough and Foreline angle valve, and gas valve

腔體充氣閥門,粗抽和前級角閥,氣體截止閥

Sputtering Sources

濺射源

Four 4” circle magnetron sputtering sources

4個4英寸圓形磁控濺射源

Each source with Pneumatic shutter

每個源配備手動擋板

The power supply can be DC, pulse DC or RF power supply

電源可以配備直流,脈沖直流或射頻電源

Sample Stage 

樣品臺

 

Substrate linear motion, rotating, and the sample heating or water cooling, 

Up to 6” substrate with Pneumatic substrate shutte

樣品臺直線升降和旋轉(zhuǎn),樣品可加熱或冷卻,zui大6英寸基片裝載能力,配氣動樣品擋板

Vacuum Gauging

真空測量

Wide range vacuum gauge and Pirani rough gauge

寬量程真空計用于測量真空和皮拉尼粗抽計

Pressure Control

壓力控制

Three Mass flow controller

三路流量計

Capacitance manometer for sputter process pressure control

一個壓力計實現(xiàn)濺射壓力控制

Cooled Water Interlock

冷水安全互鎖

There are cooled water flow sensors of interlock to protect sputter sources work properly

濺射源冷卻水路配水流傳感器對濺射源安全互鎖保護

Load Lock

Option

O2 reactive, RF plasma cleaning, single or multi substrate loading

可選,

通氧反應(yīng),射頻等離子體清洗, 單基片或多基片裝載能力

Specification

主要技術(shù)指標(biāo)

 

Sputter Chamber Size

磁控濺射腔體尺寸

450mm wide x 430mm deep x 450mm high

450mm寬430mm深450mm高

The Base Vacuum Pressure in Sputter Chamber

濺射腔體極限真空度

better than 5E-8 Torr

優(yōu)于5E-8托

Sample Loading Capacity

裝樣能力

Max. 6 inch flat substrate

zui大6英寸的平板基片

The Max. Temperature of the Sample Heater

樣品加熱器zui高溫度

1000C

1000

The film uniformity

膜厚均勻性

better than +/-3% over a rotating 4 inch Silicon wafer

在旋轉(zhuǎn)的4英寸硅基片上的膜厚均勻性由于+/-3%

General Sputtering Pressure

通用濺射壓力

1-5 mTorr

1至5毫托

 



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