Minilock-Orion III是一套*的等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據電極配置，可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸)，或者多尺寸批處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。
Minilock-Orion III用于有毒/發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物、無定形硅和碳化硅。工藝氣體：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、3甲基硅烷和甲烷。
該系統(tǒng)可選配一個三極管（Triode）或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應力。
基片通過預真空室裝入工藝室，其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產品接觸，從而提高了用戶的安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而保持反應室與大氣隔絕。

Minilock-Orion III是一套*的等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統(tǒng)。 系統(tǒng)的下電極尺寸可為200mm或300mm，且根據電極配置，可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3”- 300mm尺寸)，或者多尺寸批處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。
Minilock-Orion III用于有毒/發(fā)火PECVD工藝。沉積薄膜：氧化物、氮氧化物、氮化物、無定形硅和碳化硅。工藝氣體：100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、3甲基硅烷和甲烷。
該系統(tǒng)可選配一個三極管（Triode）或電感耦合等離子(ICP)源。三極管源使得用戶可以創(chuàng)建高密度等離子，從而控制薄膜應力。
基片通過預真空室裝入工藝室，其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產品接觸，從而提高了用戶的安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下，從而保持反應室與大氣隔絕。

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