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KRI 射頻離子源 RFICP 系列
上海伯東美國 KRI 射頻離子源 RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻源 RFICP 系列提供完整的套裝, 套裝包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.
射頻離子源 RFICP 系列技術參數(shù):
型號 | RFICP 40 | RFICP 100 | RFICP 140 | RFICP 220 | RFICP 380 |
Discharge 陽極 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 | RF 射頻 |
離子束流 | >100 mA | >350 mA | >600 mA | >800 mA | >1500 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 4 cm Φ | 10 cm Φ | 14 cm Φ | 20 cm Φ | 30 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
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流量 | 3-10 sccm | 5-30 sccm | 5-30 sccm | 10-40 sccm | 15-50 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 12.7 cm | 23.5 cm | 24.6 cm | 30 cm | 39 cm |
直徑 | 13.5 cm | 19.1 cm | 24.6 cm | 41 cm | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 | ||||
射頻離子源 RFICP 系列應用:
離子輔助鍍膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
離子濺鍍 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
上海伯東離子源典型應用: 射頻離子源 RFICP 325 安裝在 1650 mm 蒸鍍機中, 實現(xiàn)離子輔助鍍膜 IBAD 及預清潔 Pre-clean, 完成 LED-DBR 鍍膜生產 |
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上海伯東離子源典型應用: 安裝在離子蝕刻機中的 KRI 射頻離子源, 對應用于半導體后端的6寸晶圓進行刻蝕. 右圖: 射頻離子源 RFICP 安裝于腔內 |
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1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發(fā)展已取得多項成果. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
若您需要進一步的了解 KRI 射頻離子源, 請聯(lián)絡上海伯東葉小姐,分機109
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