進(jìn)口ALD設(shè)備
- 公司名稱 那諾中國(guó)有限公司
- 品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/7/4 15:11:30
- 訪問次數(shù) 4238
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ALD，PECVD，RIE，磁控濺射，熱蒸鍍，電子束，離子束，晶圓清洗機(jī)，PA-MOCVD，飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子/電池,制藥/生物制藥 |
|---|
進(jìn)口ALD設(shè)備概述：原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
進(jìn)口ALD設(shè)備特點(diǎn)：
占地面積小
計(jì)算機(jī)控制，Labview軟件全自動(dòng)工藝控制
360A厚的AL2O3膜，誤差為±1A
三維鍍膜，接近100%的階梯覆蓋率
設(shè)備集成安全氣柜
10mTorr的極限真空
可支持6“，8”基片（升級(jí)支持12“，或定制更大尺寸）
樣品臺(tái)可加熱至400℃（可選加熱到500℃）
手動(dòng)/自動(dòng)上下載片可選
支持多達(dá)7路的50ml的液態(tài)或固態(tài)前驅(qū)體瓶源
選配：
下游式遠(yuǎn)程平面ICP源或中空陰極離子源，支持PEALD
自動(dòng)上下片，單片或25片cassette
增加額外的液態(tài)qia前驅(qū)體或額外的fan'ying反應(yīng)氣路
300l/sec的磁懸浮渦流分子泵，5*10-7Torr極限真空
大尺寸的基片或fe粉末的沉積
QCM原位膜厚監(jiān)控系統(tǒng)
應(yīng)用：
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc
Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應(yīng)用.
Nano laminates納米復(fù)合材料
高K介質(zhì)
疏水性涂覆
鈍化層
高深寬比擴(kuò)散阻擋層的銅連接
微流控ying'yo應(yīng)用的保形性涂覆
燃料電池z中諸如催化層的單金屬涂覆
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