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進(jìn)口ALD設(shè)備

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 那諾中國(guó)有限公司
  • 品牌
  • 型號(hào)
  • 產(chǎn)地 美國(guó)
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2025/7/4 15:11:30
  • 訪問次數(shù) 4238

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那諾中國(guó)有限公司專注于為大中華區(qū)域(包括中國(guó)大陸、香港、澳門和中國(guó)臺(tái)灣)的高校、科研院所、企業(yè)研發(fā)與生產(chǎn)等企業(yè)機(jī)構(gòu)提供高性能、高性價(jià)比、定制化的薄膜工藝加工設(shè)備及科學(xué)分析檢測(cè)儀器。


那諾中國(guó)提供美國(guó)那諾-馬斯特薄膜工藝加工設(shè)備(包含磁控濺射、熱蒸鍍、電子束、PECVD、ALD、PA-MOCVD、RIE、離子束、DRIE、晶圓兆聲清洗機(jī)等)。


那諾中國(guó)提供英國(guó)KORE基于飛行時(shí)間的質(zhì)譜儀,包含飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)、質(zhì)子轉(zhuǎn)移反應(yīng)(PTR)質(zhì)譜儀、電子轟擊電離(EI)質(zhì)譜儀等。





ALD,PECVD,RIE,磁控濺射,熱蒸鍍,電子束,離子束,晶圓清洗機(jī),PA-MOCVD,飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子/電池,制藥/生物制藥

進(jìn)口ALD設(shè)備概述:原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù),具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積,這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響,所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性,可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。

進(jìn)口ALD設(shè)備特點(diǎn):

  • 占地面積小

  • 計(jì)算機(jī)控制,Labview軟件全自動(dòng)工藝控制

  • 360A厚的AL2O3膜,誤差為±1A

  • 三維鍍膜,接近100%的階梯覆蓋率

  • 設(shè)備集成安全氣柜

  • 10mTorr的極限真空

  • 可支持6“,8”基片(升級(jí)支持12“,或定制更大尺寸)

  • 樣品臺(tái)可加熱至400℃(可選加熱到500℃)

  • 手動(dòng)/自動(dòng)上下載片可選

  • 支持多達(dá)7路的50ml的液態(tài)或固態(tài)前驅(qū)體瓶源

選配:

  • 下游式遠(yuǎn)程平面ICP源或中空陰極離子源,支持PEALD

  • 自動(dòng)上下片,單片或25片cassette

  • 增加額外的液態(tài)qia前驅(qū)體或額外的fan'ying反應(yīng)氣路

  • 300l/sec的磁懸浮渦流分子泵,5*10-7Torr極限真空

  • 大尺寸的基片或fe粉末的沉積

  • QCM原位膜厚監(jiān)控系統(tǒng)

應(yīng)用:

  • Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etc

  • Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..

  • Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應(yīng)用.

  • Nano laminates納米復(fù)合材料

  • 高K介質(zhì)

  • 疏水性涂覆

  • 鈍化層

  • 高深寬比擴(kuò)散阻擋層的銅連接

  • 微流控ying'yo應(yīng)用的保形性涂覆

  • 燃料電池z中諸如催化層的單金屬涂覆



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