四探針電阻率測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

四探針電阻率測(cè)試儀采用四探針雙電測(cè)量方法，適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門，是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的一種重要的工具。本儀器配置各類測(cè)量裝置可以測(cè)試不同材料。液晶顯示，無需人工計(jì)算，并帶有溫度補(bǔ)償功能，電阻率單位自動(dòng)選擇，儀器自動(dòng)測(cè)量并根據(jù)測(cè)試結(jié)果自動(dòng)轉(zhuǎn)換量程，無需人工多次和重復(fù)設(shè)

參數(shù)資料

1.電阻范圍：10-5～2×105Ω/□

2.電阻率范圍：10-5～2×106Ω-cm

3.測(cè)試電流范圍：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA

4.電流精度：±0.1%讀數(shù)

5.電阻精度：≤0.3%

6.顯示讀數(shù)：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導(dǎo)率

7.測(cè)試方式: 雙電測(cè)量

8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：<30W

9.整機(jī)不確定性誤差: ≤4%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果)

10.選購功能: 選購1.pc軟件;選購2.方形探頭; 選購3.直線形探頭; 選購4.測(cè)試平臺(tái)

11.測(cè)試探頭： 探針間距選購：1mm;2mm;3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購：碳化鎢針;白鋼針;鍍金磷銅半球形針

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，自動(dòng)消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，它與單電測(cè)直線或方形四探針相比，大大提高度，特別是適用于斜置式四探針對(duì)于微區(qū)的測(cè)試。

四探針測(cè)試儀原理,四探針電阻測(cè)試儀

參數(shù)資料

1.方塊電阻范圍：10-4～2×103Ω/□

2.電阻率范圍：10-5～2×104Ω-cm

3.測(cè)試電流范圍：10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA

4.電流精度：±0.2%讀數(shù)

5.電阻精度：≤0.3%

6.顯示讀數(shù)：液晶顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度、電導(dǎo)率

7.測(cè)試方式: 雙電測(cè)量

8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗：<30W

9.整機(jī)不確定性誤差: ≤4%(標(biāo)準(zhǔn)樣片結(jié)果)

10.選購功能: 選購1.pc軟件;選購2.方形探頭; 選購3.直線形探頭; 選購4.測(cè)試平臺(tái)

11.測(cè)試探頭： 探針間距選購：1mm;2mm;3mm三種規(guī)格; 探針材質(zhì)選購：碳化鎢針;白鋼針;鍍金磷銅半球形針