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去膠清洗機

參考價 10000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 蘇州芯矽電子科技有限公司
  • 品牌 芯矽科技
  • 型號
  • 產(chǎn)地 蘇州市工業(yè)園區(qū)江浦路41號
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2025/5/13 11:39:17
  • 訪問次數(shù) 102

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芯矽科技是一家專注半導體濕法設備制造公司,主要提供實驗室研發(fā)級到全自動量產(chǎn)級槽式清洗機,單片清洗機,高純化學品/研磨液供應回收系統(tǒng)及工程,公司核心產(chǎn)品12寸全自動晶圓化學鍍設備,12寸全自動爐管/ Boat /石英清洗機已占據(jù)行業(yè)主導地位,已經(jīng)成功取得長江存儲,中芯國際,重慶華潤,上海華虹,上海積塔,上海格科,廣東粵芯,青島芯恩,廈門士蘭,南通捷捷,湖南楚微等主流8寸12寸Fab產(chǎn)線訂單,我們致力于為合作伙伴提供適合你的解決方案。


導體濕法設備

非標定制 根據(jù)客戶需求定制

去膠清洗機是半導體制造、光伏產(chǎn)業(yè)及光學加工中用于去除光刻膠(正膠/負膠)及工藝殘留物的關鍵設備。光刻膠在曝光、顯影后,需清除以避免污染后續(xù)制程(如蝕刻、鍍膜)。該設備通過化學腐蝕、物理清洗(超聲/兆聲波)及等離子灰化等技術,高效剝離膠層,同時保障基底材料(如硅片、玻璃、金屬)的表面完整性和潔凈度。

核心技術原理

化學去膠工藝

原理:O? Plasma產(chǎn)生高能粒子,氧化光刻膠為CO?和H?O,適用于厚膠層或復雜圖形。

參數(shù):功率100-500W,氧氣流量50-200sccm,時間5-30分鐘。

正膠去除:常用ACE溶液(丙酮:乙醇:DI水=5:1:1)或NMP(N-甲基吡咯烷酮),溶解未硬化的光刻膠。

負膠去除:需強極性溶劑(如DMSO)或氧等離子體氧化分解,因負膠交聯(lián)度高。

參數(shù)控制:溫度(20-60℃)、浸泡時間(5-15分鐘),避免基底腐蝕。

濕法腐蝕:

等離子灰化:

物理清洗技術

優(yōu)勢:高頻(>800kHz)非接觸式微射流沖刷,精準去除亞微米級殘留,保護圖形完整性。

應用:封裝、TSV(硅通孔)等高密度結(jié)構(gòu)清洗。

作用:低頻(25-40kHz)空化效應剝離膠層,適用于大面積或厚膠殘留。

局限性:可能損傷微結(jié)構(gòu),需控制功率(50-200W)和時間(<10分鐘)。

超聲波清洗:

兆聲波清洗(Megasonic):

復合工藝

濕法+等離子結(jié)合:先化學溶解大部分膠層,再通過氧等離子灰化殘留碳化物。

超聲+兆聲波協(xié)同:低頻超聲粗洗,高頻兆聲波精細處理,提升效率與均勻性。

設備結(jié)構(gòu)設計

清洗槽體

材質(zhì):耐腐蝕性材料(PTFE、PFA、石英),避免化學污染。

結(jié)構(gòu):多槽模塊化設計(如6-12槽),分階段實現(xiàn)“化學腐蝕→超聲→漂洗→干燥”。

化學液分配系統(tǒng)

自動配比:在線監(jiān)測溶劑濃度(如NMP純度>99.5%),實時補充或更換。

溫控模塊:PID加熱(20-80℃),滿足不同溶劑的活性溫度需求。

等離子發(fā)生器

類型:電容耦合(CCP)或電感耦合(ICP),支持O?/Ar/N?混合氣體。

均勻性:電極布局優(yōu)化,確保晶圓表面灰化速率一致(±5%偏差)。

干燥單元

旋干(Spin Dry):高速旋轉(zhuǎn)(3000-6000rpm)甩干溶劑,適用于平面基底。

氮氣吹掃(N? Blow):高純氮氣(99.999%)快速干燥,防止氧化或靜電吸附。

IPA置換干燥:異丙醇(IPA)替換溶劑后揮發(fā),實現(xiàn)干燥,避免水漬殘留。

去膠清洗機

關鍵工藝參數(shù)

工藝步驟參數(shù)范圍控制要點
ACE浸泡溫度30℃,時間10分鐘DI水電阻率>18.2MΩ·cm,防止顆粒沉積
氧等離子灰化功率300W,O?流量100sccm,15分鐘腔室壓力100-300mTorr,避免基底過熱
兆聲波清洗頻率1MHz,功率50W,時間5分鐘微射流覆蓋均勻,避免局部過強
DI水漂洗8級水槽,電阻率>18.2MΩ·cm逐級檢測電導率,避免交叉污染
熱風干燥溫度120℃,時間10分鐘風速<5m/s,防止顆粒二次吸附




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