去膠清洗機(jī)是半導(dǎo)體制造、光伏產(chǎn)業(yè)及光學(xué)加工中用于去除光刻膠（正膠/負(fù)膠）及工藝殘留物的關(guān)鍵設(shè)備。光刻膠在曝光、顯影后，需清除以避免污染后續(xù)制程（如蝕刻、鍍膜）。該設(shè)備通過化學(xué)腐蝕、物理清洗（超聲/兆聲波）及等離子灰化等技術(shù)，高效剝離膠層，同時保障基底材料（如硅片、玻璃、金屬）的表面完整性和潔凈度。

核心技術(shù)原理

化學(xué)去膠工藝

原理：O? Plasma產(chǎn)生高能粒子，氧化光刻膠為CO?和H?O，適用于厚膠層或復(fù)雜圖形。

參數(shù)：功率100-500W，氧氣流量50-200sccm，時間5-30分鐘。

正膠去除：常用ACE溶液（丙酮:乙醇:DI水=5:1:1）或NMP（N-甲基吡咯烷酮），溶解未硬化的光刻膠。

負(fù)膠去除：需強(qiáng)極性溶劑（如DMSO）或氧等離子體氧化分解，因負(fù)膠交聯(lián)度高。

參數(shù)控制：溫度（20-60℃）、浸泡時間（5-15分鐘），避免基底腐蝕。

濕法腐蝕：

等離子灰化：

物理清洗技術(shù)

優(yōu)勢：高頻（>800kHz）非接觸式微射流沖刷，精準(zhǔn)去除亞微米級殘留，保護(hù)圖形完整性。

應(yīng)用：封裝、TSV（硅通孔）等高密度結(jié)構(gòu)清洗。

作用：低頻（25-40kHz）空化效應(yīng)剝離膠層，適用于大面積或厚膠殘留。

局限性：可能損傷微結(jié)構(gòu)，需控制功率（50-200W）和時間（<10分鐘）。

超聲波清洗：

兆聲波清洗（Megasonic）：

復(fù)合工藝

濕法+等離子結(jié)合：先化學(xué)溶解大部分膠層，再通過氧等離子灰化殘留碳化物。

超聲+兆聲波協(xié)同：低頻超聲粗洗，高頻兆聲波精細(xì)處理，提升效率與均勻性。

設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計

清洗槽體

材質(zhì)：耐腐蝕性材料（PTFE、PFA、石英），避免化學(xué)污染。

結(jié)構(gòu)：多槽模塊化設(shè)計（如6-12槽），分階段實現(xiàn)“化學(xué)腐蝕→超聲→漂洗→干燥”。

化學(xué)液分配系統(tǒng)

自動配比：在線監(jiān)測溶劑濃度（如NMP純度>99.5%），實時補(bǔ)充或更換。

溫控模塊：PID加熱（20-80℃），滿足不同溶劑的活性溫度需求。

等離子發(fā)生器

類型：電容耦合（CCP）或電感耦合（ICP），支持O?/Ar/N?混合氣體。

均勻性：電極布局優(yōu)化，確保晶圓表面灰化速率一致（±5%偏差）。

干燥單元

旋干（Spin Dry）：高速旋轉(zhuǎn)（3000-6000rpm）甩干溶劑，適用于平面基底。

氮?dú)獯祾撸∟? Blow）：高純氮?dú)猓?9.999%）快速干燥，防止氧化或靜電吸附。

IPA置換干燥：異丙醇（IPA）替換溶劑后揮發(fā)，實現(xiàn)干燥，避免水漬殘留。

關(guān)鍵工藝參數(shù)