去膠清洗機
參考價 | ¥ 10000 |
訂貨量 | ≥1臺 |
- 公司名稱 蘇州芯矽電子科技有限公司
- 品牌 芯矽科技
- 型號
- 產(chǎn)地 蘇州市工業(yè)園區(qū)江浦路41號
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時間 2025/5/13 11:39:17
- 訪問次數(shù) 102
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非標定制 | 根據(jù)客戶需求定制 |
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去膠清洗機是半導體制造、光伏產(chǎn)業(yè)及光學加工中用于去除光刻膠(正膠/負膠)及工藝殘留物的關鍵設備。光刻膠在曝光、顯影后,需清除以避免污染后續(xù)制程(如蝕刻、鍍膜)。該設備通過化學腐蝕、物理清洗(超聲/兆聲波)及等離子灰化等技術,高效剝離膠層,同時保障基底材料(如硅片、玻璃、金屬)的表面完整性和潔凈度。
核心技術原理
化學去膠工藝
原理:O? Plasma產(chǎn)生高能粒子,氧化光刻膠為CO?和H?O,適用于厚膠層或復雜圖形。
參數(shù):功率100-500W,氧氣流量50-200sccm,時間5-30分鐘。
正膠去除:常用ACE溶液(丙酮:乙醇:DI水=5:1:1)或NMP(N-甲基吡咯烷酮),溶解未硬化的光刻膠。
負膠去除:需強極性溶劑(如DMSO)或氧等離子體氧化分解,因負膠交聯(lián)度高。
參數(shù)控制:溫度(20-60℃)、浸泡時間(5-15分鐘),避免基底腐蝕。
濕法腐蝕:
等離子灰化:
物理清洗技術
優(yōu)勢:高頻(>800kHz)非接觸式微射流沖刷,精準去除亞微米級殘留,保護圖形完整性。
應用:封裝、TSV(硅通孔)等高密度結(jié)構(gòu)清洗。
作用:低頻(25-40kHz)空化效應剝離膠層,適用于大面積或厚膠殘留。
局限性:可能損傷微結(jié)構(gòu),需控制功率(50-200W)和時間(<10分鐘)。
超聲波清洗:
兆聲波清洗(Megasonic):
復合工藝
濕法+等離子結(jié)合:先化學溶解大部分膠層,再通過氧等離子灰化殘留碳化物。
超聲+兆聲波協(xié)同:低頻超聲粗洗,高頻兆聲波精細處理,提升效率與均勻性。
設備結(jié)構(gòu)設計
清洗槽體
材質(zhì):耐腐蝕性材料(PTFE、PFA、石英),避免化學污染。
結(jié)構(gòu):多槽模塊化設計(如6-12槽),分階段實現(xiàn)“化學腐蝕→超聲→漂洗→干燥”。
化學液分配系統(tǒng)
自動配比:在線監(jiān)測溶劑濃度(如NMP純度>99.5%),實時補充或更換。
溫控模塊:PID加熱(20-80℃),滿足不同溶劑的活性溫度需求。
等離子發(fā)生器
類型:電容耦合(CCP)或電感耦合(ICP),支持O?/Ar/N?混合氣體。
均勻性:電極布局優(yōu)化,確保晶圓表面灰化速率一致(±5%偏差)。
干燥單元
旋干(Spin Dry):高速旋轉(zhuǎn)(3000-6000rpm)甩干溶劑,適用于平面基底。
氮氣吹掃(N? Blow):高純氮氣(99.999%)快速干燥,防止氧化或靜電吸附。
IPA置換干燥:異丙醇(IPA)替換溶劑后揮發(fā),實現(xiàn)干燥,避免水漬殘留。
關鍵工藝參數(shù)
工藝步驟 | 參數(shù)范圍 | 控制要點 |
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ACE浸泡 | 溫度30℃,時間10分鐘 | DI水電阻率>18.2MΩ·cm,防止顆粒沉積 |
氧等離子灰化 | 功率300W,O?流量100sccm,15分鐘 | 腔室壓力100-300mTorr,避免基底過熱 |
兆聲波清洗 | 頻率1MHz,功率50W,時間5分鐘 | 微射流覆蓋均勻,避免局部過強 |
DI水漂洗 | 8級水槽,電阻率>18.2MΩ·cm | 逐級檢測電導率,避免交叉污染 |
熱風干燥 | 溫度120℃,時間10分鐘 | 風速<5m/s,防止顆粒二次吸附 |