產(chǎn)品關(guān)鍵詞：空間電荷限域電流,遷移率提取模型,陷阱態(tài)密度分析,載流子注入勢(shì)壘,載流子遷移率,陷阱效應(yīng)

產(chǎn)品特點(diǎn)

□ 手套箱原位變溫耦合：

支持在無(wú)氧、無(wú)水手套箱內(nèi) 原位開(kāi)展變溫測(cè)試，無(wú)需轉(zhuǎn)移樣品，避免外界環(huán)境（氧、水、溫度波動(dòng)）對(duì)敏感材料（如有機(jī)半導(dǎo)體、鈣鈦礦薄膜）的干擾，精準(zhǔn)模擬器件實(shí)際工作的溫場(chǎng)環(huán)境，保障測(cè)試數(shù)據(jù)的真實(shí)性與可重復(fù)性。

□ 1 分鐘快速換樣測(cè)試：

通過(guò) 模塊化夾具設(shè)計(jì) + 自動(dòng)化流程集成，實(shí)現(xiàn)樣品 “即放即測(cè)”，換樣時(shí)間壓縮至 1 分鐘內(nèi)，大幅提升 高通量樣品篩選效率（如新材料庫(kù)批量表征、器件陣列快速測(cè)試），減少人工操作誤差，適配研發(fā)端 “快速迭代” 需求。

□ 變溫、變厚度 SCLC 分析：

支持 空間電荷限制電流（SCLC）測(cè)試的雙變量調(diào)控：

變溫：解析溫度對(duì)載流子遷移率、陷阱態(tài)的影響規(guī)律；

變厚度：探究薄膜厚度與電荷輸運(yùn)、器件閾值的關(guān)聯(lián)機(jī)制。

助力半導(dǎo)體器件（如 OLED、太陽(yáng)能電池）的 結(jié)構(gòu)優(yōu)化與失效分析，精準(zhǔn)定位性能瓶頸。

□ 低至 10fA 測(cè)試系統(tǒng)定制：

針對(duì) 弱電流特性樣品（如納米器件、高阻絕緣薄膜、低功耗芯片），可定制 皮安級(jí)（10fA）超高靈敏度測(cè)試系統(tǒng)，突破常規(guī)測(cè)試的噪聲下限，實(shí)現(xiàn)納安 - 飛安級(jí)電流的穩(wěn)定采集，滿(mǎn)足前沿領(lǐng)域（如量子器件、單分子電學(xué)）的極限測(cè)試需求。

□ IV 仿真分析軟件選配：

可選配專(zhuān)業(yè) 電流 - 電壓（IV）特性仿真分析軟件，支持：

實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)擬合（如提取遷移率、閾值電壓、接觸電阻等關(guān)鍵參數(shù)）；

多物理場(chǎng)仿真（結(jié)合溫度、厚度變量，模擬電荷輸運(yùn)動(dòng)力學(xué)）；

理論模型對(duì)比（驗(yàn)證漂移 - 擴(kuò)散、陷阱填充等機(jī)制），打通 “實(shí)驗(yàn)測(cè)試→機(jī)理解析→模型驗(yàn)證” 閉環(huán)，加速研發(fā)周期。

功能參數(shù)

□ 變溫區(qū)間（78-350K，視手套箱耦合情況有差異）；

□ 電學(xué)參數(shù)：200V/1A，10fA/100nV。