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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導(dǎo)體行業(yè)專用儀器>濕法工藝設(shè)備>濕法清洗設(shè)備> 單片式磷酸蝕刻設(shè)備 若名芯

單片式磷酸蝕刻設(shè)備 若名芯

參考價 10000
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 若名芯半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號
  • 產(chǎn)地 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)金鳳凰微納產(chǎn)業(yè)園
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時間 2025/8/12 14:34:27
  • 訪問次數(shù) 23

聯(lián)系我們時請說明是化工儀器網(wǎng)上看到的信息,謝謝!


     若名芯是一家專注于半導(dǎo)體芯片清洗設(shè)備、濕法刻蝕設(shè)備的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造和銷售的半導(dǎo)體設(shè)備制造商,以自主知識產(chǎn)權(quán)創(chuàng)新技術(shù)為基礎(chǔ),致力于提升客戶端的工藝穩(wěn)定性與生產(chǎn)效率。

    整個團(tuán)隊(duì)由多名國內(nèi)外技術(shù)人員共同搭建而成,當(dāng)前已借助技術(shù)團(tuán)隊(duì)的國際經(jīng)驗(yàn)迅速建立起與國際主流基板線技術(shù)產(chǎn)品兼容的集成平臺,服務(wù)客戶已超50家,目前公司在江蘇蘇州、張家港和海外設(shè)立了研發(fā)基地。

    為了匹配市場的需求,若名芯通過自主知識產(chǎn)權(quán)創(chuàng)新技術(shù)針對性的研發(fā)了多種半導(dǎo)體清洗設(shè)備,集成多種終點(diǎn)檢測技術(shù),具有優(yōu)秀的工藝穩(wěn)定性和高生產(chǎn)效率,已在大硅片、集成電路、封裝等制造工藝中批量應(yīng)用。

單片清洗機(jī)、槽式清洗機(jī)、晶圓化學(xué)鍍設(shè)備、片盒清洗機(jī)等

非標(biāo)定制 根據(jù)客戶需求定制

在集成電路制造領(lǐng)域,單片式磷酸蝕刻設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。這種高度專業(yè)化的設(shè)備通過精確控制的化學(xué)腐蝕過程,實(shí)現(xiàn)對硅基材料的表面微納結(jié)構(gòu)加工,是MEMS傳感器、功率器件和封裝工藝的關(guān)鍵裝備。

技術(shù)原理與系統(tǒng)架構(gòu)

該設(shè)備基于濕法蝕刻原理,以高純度磷酸作為主要蝕刻劑。其核心在于精準(zhǔn)調(diào)控反應(yīng)參數(shù):溫度控制在60–85℃區(qū)間以保證均勻的蝕刻速率;磷酸濃度維持在特定配比(通常為85%)以確保各向同性腐蝕特性;通過旋轉(zhuǎn)載臺實(shí)現(xiàn)晶圓表面的動態(tài)浸潤,消除靜止液面帶來的厚度不均問題。系統(tǒng)采用閉環(huán)循環(huán)設(shè)計(jì),配備在線過濾裝置實(shí)時去除反應(yīng)產(chǎn)生的副產(chǎn)物,確保蝕刻液活性穩(wěn)定。相較于傳統(tǒng)槽式批量處理設(shè)備,單片機(jī)型在于獨(dú)立處理每片晶圓,避免交叉污染風(fēng)險。

核心組件解析

反應(yīng)腔室模塊

采用雙層夾套結(jié)構(gòu),外層通入恒溫介質(zhì)實(shí)現(xiàn)精確控溫;內(nèi)襯選用抗腐蝕的PFA材料,既耐受強(qiáng)酸環(huán)境又防止金屬離子析出污染芯片。特殊設(shè)計(jì)的溢流堰結(jié)構(gòu)使蝕刻液始終保持恒定液位,配合氮?dú)夥諊种蒲趸狈磻?yīng)。

智能控制系統(tǒng)

集成PLC控制器與觸摸屏操作界面,可存儲多種工藝配方并實(shí)現(xiàn)一鍵切換。關(guān)鍵傳感器包括電導(dǎo)率探頭(監(jiān)測磷酸濃度變化)、濁度計(jì)(檢測懸浮顆粒含量)和溫度傳感器陣列(監(jiān)控晶圓區(qū)域溫差)。算法模型能根據(jù)實(shí)時數(shù)據(jù)動態(tài)調(diào)整噴淋流量與旋轉(zhuǎn)速度,補(bǔ)償工藝漂移。

后處理單元

包含多級去離子水沖洗模塊,采用梯度稀釋方式逐步置換殘留酸液;旋轉(zhuǎn)甩干機(jī)構(gòu)通過離心力去除表面水膜;最終由精密氮?dú)獾锻瓿筛稍?,確保晶圓表面無水漬殘留。部分型號還配備邊緣珠粒去除功能,利用高壓微氣流吹掃晶圓背面,消除因液體張力形成的液滴痕跡。

工藝優(yōu)勢分析

與傳統(tǒng)干法刻蝕相比,磷酸濕法蝕刻具有技術(shù)特點(diǎn):一是各向同性特性使其能夠形成半球形凹槽,這對某些特殊器件結(jié)構(gòu)至關(guān)重要;二是表面粗糙度極低(Ra<0.5nm),有利于后續(xù)薄膜沉積的附著力提升;三是對材料的選擇性比高達(dá)1:150(SiO?/Si),可精確控制蝕刻深度而不影響底層結(jié)構(gòu)。某客戶案例顯示,在使用該設(shè)備制備IGBT器件的溝槽柵極時,溝道寬度誤差控制在±0.1μm以內(nèi),良品率較傳統(tǒng)方法提升。

行業(yè)應(yīng)用場景

MEMS傳感器制造:用于形成壓力傳感器所需的懸臂梁結(jié)構(gòu),要求蝕刻輪廓平滑且應(yīng)力分布均勻;

功率半導(dǎo)體加工:制作IGBT模塊中的元胞區(qū)域,需要深寬比達(dá)20:1的垂直溝道;

封裝應(yīng)用:在TSV硅通孔工藝中進(jìn)行孔口倒角處理,減少應(yīng)力集中導(dǎo)致的裂紋風(fēng)險;

科研領(lǐng)域探索:用于制備納米線陣列等新型材料體系的基礎(chǔ)研究。

技術(shù)創(chuàng)新方向

隨著半導(dǎo)體制程向節(jié)點(diǎn)演進(jìn),單片式磷酸蝕刻設(shè)備也在不斷升級:一是引入AFM在線監(jiān)測技術(shù),實(shí)現(xiàn)亞納米級的形貌控制;二是開發(fā)脈沖式蝕刻模式,通過周期性中斷反應(yīng)來優(yōu)化側(cè)壁剖面角度;三是整合機(jī)器學(xué)習(xí)算法,建立工藝參數(shù)與拓?fù)湫蚊驳年P(guān)聯(lián)模型,實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)優(yōu)化。這些創(chuàng)新將推動設(shè)備向更高精度、更廣適用性和更低擁有成本方向發(fā)展。

作為連接設(shè)計(jì)圖紙與物理實(shí)體的關(guān)鍵橋梁,單片式磷酸蝕刻設(shè)備以其工藝控制能力和靈活的適應(yīng)性,持續(xù)為半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步提供支撐。在產(chǎn)業(yè)鏈自主可控的戰(zhàn)略背景下,國產(chǎn)設(shè)備的突破不僅打破了國外壟斷局面,更通過定制化服務(wù)滿足了國內(nèi)客戶的差異化需求,成為推動產(chǎn)業(yè)升級的重要力量。



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