技術(shù)參數(shù)：

1.分辨率:
　二次電子:
　　高真空模式 3.0nm @ 30kV, 8nm @ 3kV
　　高真空減速模式 7nm @ 3kV （可選項(xiàng)）
　　低真空模式 3.0nm @ 30kV, 10nm @ 3kV
　　環(huán)境真空模式 3.0nm @ 30kV
　背散射電子 4.0nm @ 30kV
2.樣品室壓力zui高達(dá)2600Pa
3.加速電壓200V ～ 30kV，連續(xù)調(diào)節(jié)
4.樣品臺移動范圍
　Quanta 250: X=Y=50mm
　Quanta 450: X=Y=100mm
　Quanta 650: X=Y=150mm

主要特點(diǎn)：

1.FEI ESEM（環(huán)境掃描電鏡）技術(shù), 可在高真空、低真空和環(huán)境真空條件下對各種樣品進(jìn)行觀察和分析。
2.所有真空條件下的二次電子、背散射電子觀察和微觀分析。
3.*的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)平臺，全數(shù)字化系統(tǒng)。
4.可同時(shí)安裝能譜儀、波譜儀和EBSP系統(tǒng)。
5.可安裝低溫冷臺、加熱臺、拉伸臺等進(jìn)行樣品的原位、動態(tài)觀察和分析。