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詳細(xì)摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.

詳細(xì)摘要： Our MoWS2 alloys with the chemical formula MoxW（1-x）S2 crystals perfectly crysta...

詳細(xì)摘要： Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.

詳細(xì)摘要： Molybdenum atoms perfectly incorporated into ReS2 matrix.

詳細(xì)摘要： Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.

詳細(xì)摘要： Our newest class of material: Sb2xAs2（1-x）S3 comes in perfect 1:1:3 stoichiometr...

詳細(xì)摘要： Synthetic MoS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type dop...

詳細(xì)摘要： High purtiy WS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-type do...

詳細(xì)摘要： 石墨烯紙（導(dǎo)電） Graphene Film-Super Paper直徑：40毫米厚度：20微米導(dǎo)電性：2x103s /米拉伸模數(shù)：10 GPa顏色：黑色高導(dǎo)熱...

詳細(xì)摘要： 石墨烯紙（非導(dǎo)電） Graphene Film-Super Paper直徑：40毫米厚度：20um電導(dǎo)率：非導(dǎo)電，8x10-2 S / M拉伸模數(shù)20 GPa顏...

詳細(xì)摘要： 多層石墨烯（進(jìn)口） Multi-layer GrapheneCVD石墨烯層數(shù)：2－8基材：銅箔/硅/二氧化硅/PET/塑料/玻璃/石英

詳細(xì)摘要： 塑料基底石墨烯 Graphene on Plastic說(shuō)明：石墨烯轉(zhuǎn)移到塑料基材（一個(gè)聚合物主要含有聚酯和其他成分（10%））。表面電阻：小于600Ω/sq定制...

詳細(xì)摘要： 銅基底石墨烯（進(jìn)口） Graphene on Copper Foil制備方法：氣相沉積法化學(xué)氣相沉積石墨烯層：1/2/3~5/6~8尺寸：可定制

詳細(xì)摘要： Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor （1.2 eV） but becomes highly lumine...

詳細(xì)摘要： Tungsten disulfide （2H-WS2） crystals are extremely rare in nature and are less t...

詳細(xì)摘要： 一步轉(zhuǎn)移石墨烯（進(jìn)口/1*1cm單層） Trivial Transfer Graphene

詳細(xì)摘要： Zirconium disulfide （ZrS?） is an indirect gap layered semiconductor in the bulk ...

詳細(xì)摘要： 一步轉(zhuǎn)移石墨烯（5*5cm單層） Trivial Transfer Graphene

詳細(xì)摘要： Zirconium disulfide （ZrS?） is an indirect gap layered semiconductor in the bulk ...

詳細(xì)摘要： More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as w...