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詳細(xì)摘要： 碘化鎵（碲摻雜）晶體（99.995%） GaTeI

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詳細(xì)摘要： Titanium bromide （TiBr3） is a 2D antiferromagnetic / ferromagnetic semiconductor...

詳細(xì)摘要： The first and only commercially available Mg（OH）? crystals were grown using floa...

詳細(xì)摘要： CdI? is a layered semiconductor with indirect gap at 3.0 eV for bulk and its pro...

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詳細(xì)摘要： 【巨納】基于藍(lán)寶石基底的三角形單層二硫化鉬（1010mm）

詳細(xì)摘要： CrI3 （chromium triiodide） is a ferromagnetic semiconductor with Curie temperatur...

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詳細(xì)摘要： 【巨納】基于二氧化硅基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）

詳細(xì)摘要： The only commercially available lead iodide （PbI2） by 2Dsemiconductors USA. PbI2...

詳細(xì)摘要： 【巨納】基于藍(lán)寶石基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）

詳細(xì)摘要： Graphitic carbon nitride （g-C3N4） has been one of the most attractive materials ...

詳細(xì)摘要： MnO2 is 2D catalytic and electronic grade semiconducting 2D material. In the bul...

詳細(xì)摘要： 【巨納】基于柔性PET基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（1010mm）

詳細(xì)摘要： a-MoO3 is a layered vdW semiconductor with a crystal structure that belongs to t...

詳細(xì)摘要： 【巨納】基于石英基底的單層連續(xù)二硫化鉬薄膜（10*10mm）

詳細(xì)摘要： GeP has highly anisotropic dispersions of band structures, with a layer-dependen...

詳細(xì)摘要： 【巨納】三角形單層二硫化鎢（10*10mm）-襯底可選