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詳細(xì)摘要：The only commercially available TlGaTe2 vdW crystals have been synthesized at our facilities through float zone technique.

詳細(xì)摘要：由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大，量子限域效應(yīng)明顯，消光系數(shù)大，發(fā)射光譜頻率覆蓋整個(gè)可見光范圍，并延伸至近紅外區(qū)域，尤其是不含有重金屬元素，InP量子點(diǎn)在平板顯示背光源、照明、生物醫(yī)學(xué)標(biāo)記、指紋識(shí)別，以及太陽能領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 應(yīng)用*專有技術(shù)

詳細(xì)摘要：機(jī)械剝離工具套裝（標(biāo)準(zhǔn)版）

詳細(xì)摘要：近紅外量子點(diǎn)具有玻爾半徑大、禁帶寬度小、能量轉(zhuǎn)換率較高等特點(diǎn)，在光電器件、通訊、發(fā)光二極管、太陽能電池等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。由于其發(fā)射的近紅外波長具有很強(qiáng)的組織穿透性和低背景高分辨率的生物成像性能，因此還被廣泛應(yīng)用于生物領(lǐng)域。

詳細(xì)摘要：機(jī)械剝離工具套裝（高配版）

詳細(xì)摘要：New dimensions in 2D superconductors research: CuFeTe is unique material with highest Tc temperature in layered materials.

詳細(xì)摘要：形態(tài)：膠帶
參數(shù)
寬度：12.5mm
厚度：5mm

詳細(xì)摘要：Environmentally stable, perfect, World record size single crystal SnTe? （Tin diselenide） crystals are developed at our facilities using state-of-art techniques.

詳細(xì)摘要：Bismuth Selenide Telluride （Bi?Se?.?Te?.?） is developed at our facilities.

詳細(xì)摘要：2H semiconducting phase of MoTe2 crystals contain layers that are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers.

詳細(xì)摘要：化三鐵（鍺摻雜）晶體（99.995%） Fe3GeTe2
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
低維材料層狀過渡金屬化合物材料，新增材料：
FeCl2,NbS3,GaTeI,InSe,CuInP2S6,WSSe,Fe3GeTe2,NiI2,FePS3,MnPSe3,MnPS3,NiPS3,PdSe2

詳細(xì)摘要：A member of layered mica family but the exact chemical formula has been adjusted in such a way that resulting materials are K, Mg, and Fe

詳細(xì)摘要：本產(chǎn)品為表面鍍有石墨烯薄膜的單晶銅線，石墨烯*的性質(zhì)可以增強(qiáng)銅線本身的導(dǎo)電性，支持定制。

詳細(xì)摘要：產(chǎn)品名稱：4英寸二氧化硅拋光硅片 （SiO2）
生長方式：直拉單晶（CZ） 熱氧化工藝
直徑與公差：100±0.4mm
摻雜類型：N型（摻磷、砷、銻） P型（摻硼）
晶向：<111>\\<100>
電阻率：0.001-50

詳細(xì)摘要：An ideal substrate – template for two-dimensional （2D） materials to eliminate ripple, surface roughness, and doping （charge transfer） effects.

詳細(xì)摘要：CVD石墨烯專用銅箔 Copper foil
尺寸：10*20cm
純度：99.99%
厚度：46um
寬度：25cm
（10片起售）

詳細(xì)摘要：碲化鉍晶體 Bi2Te3（Bismuth Telluride）
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形晶體尺寸：~10毫米
電氣性能：拓?fù)浣^緣體的
晶體結(jié)構(gòu)：六邊形
晶胞參數(shù)：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成 所在地：江蘇泰州市      更新時(shí)間：2025-03-30 在線留言

詳細(xì)摘要：Spectrum 電學(xué)測試性底座
044 LDCC
Mfg Dwg: SD-560-9185-A
Cav: .340 x .340
D/A Plating: AU
（10片起售）

詳細(xì)摘要：Spectrum 電學(xué)測試性底座
044 LDCC
Mfg Dwg: PB-12941-D-JMI
Cav: .300 x .300
D/A Plating: AU
（10片起售）

詳細(xì)摘要：兩種不同的半導(dǎo)體相接觸所形成的界面區(qū)域稱為異質(zhì)結(jié)，低維材料在線可以定制不同層數(shù)和結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)材料。