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壓電材料電場(chǎng)應(yīng)變特性的測(cè)試儀 激光測(cè)振儀 傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
介電常數(shù)溫度系數(shù)和變化率
電容量隨溫度變化而變化，是由于介質(zhì)的介電常數(shù)和幾何尺寸隨溫度而變化。對(duì)于裝置瓷和Ⅰ型電容器瓷用電容溫度系數(shù)表示這種變化，對(duì)于Ⅱ型和川型電容器瓷則采用電容溫度變化率表示。
溫度t時(shí)的電容溫度系數(shù)αC為：
αC=（1/C）*（dc/dt）
在一定溫度范圍內(nèi)，c與t的關(guān)系可視為直線時(shí)，則上式寫(xiě)成：
αC=（1/C1）*（△c/△t）
式中：△c=c2-c1,△t=t2-t1
C2、c1為溫度t2、t1時(shí)的電容量
介電常數(shù)隨溫度的變化用介電常數(shù)的溫度系數(shù)表示。溫度t時(shí)介電常數(shù)的溫度系數(shù)αε。
αε=（1/ε）*（dε/dt）
在一定溫度范圍內(nèi)，ε與t的關(guān)系可視為直線時(shí)，則上式寫(xiě)成：
αε=（1/ε1）*（△ε/△t）
式中：△ε=ε2-ε1，△t=t2-t1
ε2、ε1為溫度t2、t1時(shí)的電容量。
介電常數(shù)隨溫度的變化用αε表示，幾何尺寸的變化用膨脹系數(shù)αⅠ，表示，電容溫度系數(shù)αC。應(yīng)是αε和αⅠ，的函數(shù)。即：
α。=αε+αⅠ說(shuō)明電子陶瓷的電容溫度系數(shù)取決于介電常數(shù)的溫度系數(shù)和線膨脹系數(shù)，由于線膨脹系數(shù)較小，一般認(rèn)為αC≌αⅠ。
電容溫度系數(shù)的測(cè)量采用電容溫度系數(shù)測(cè)試儀。
電容量隨溫度變化而變化，是由于介質(zhì)的介電常數(shù)和幾何尺寸隨溫度而變化。對(duì)于裝置瓷和Ⅰ型電容器瓷用電容溫度系數(shù)表示這種變化，對(duì)于Ⅱ型和川型電容器瓷則采用電容溫度變化率表示。
溫度t時(shí)的電容溫度系數(shù)αC為：
αC=（1/C）*（dc/dt）
在一定溫度范圍內(nèi)，c與t的關(guān)系可視為直線時(shí)，則上式寫(xiě)成：
αC=（1/C1）*（△c/△t）
式中：△c=c2-c1,△t=t2-t1
C2、c1為溫度t2、t1時(shí)的電容量
介電常數(shù)隨溫度的變化用介電常數(shù)的溫度系數(shù)表示。溫度t時(shí)介電常數(shù)的溫度系數(shù)αε。
αε=（1/ε）*（dε/dt）
在一定溫度范圍內(nèi)，ε與t的關(guān)系可視為直線時(shí)，則上式寫(xiě)成：
αε=（1/ε1）*（△ε/△t）
式中：△ε=ε2-ε1，△t=t2-t1
ε2、ε1為溫度t2、t1時(shí)的電容量。
介電常數(shù)隨溫度的變化用αε表示，幾何尺寸的變化用膨脹系數(shù)αⅠ，表示，電容溫度系數(shù)αC。應(yīng)是αε和αⅠ，的函數(shù)。即：
α。=αε+αⅠ說(shuō)明電子陶瓷的電容溫度系數(shù)取決于介電常數(shù)的溫度系數(shù)和線膨脹系數(shù)，由于線膨脹系數(shù)較小，一般認(rèn)為αC≌αⅠ。
電容溫度系數(shù)的測(cè)量采用電容溫度系數(shù)測(cè)試儀。