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當(dāng)前位置：冠乾科技（上海）有限公司>>技術(shù)文章>>SiC外延片測(cè)試方案
外延材料是實(shí)現(xiàn)器件制造的關(guān)鍵，主要技術(shù)指標(biāo)有外延層厚度、晶格布局，材料結(jié)構(gòu)，形貌以及物理性質(zhì)，表面粗糙度和摻雜濃度等。本文闡述了SiC外延表面常見的測(cè)試手段。
本解決方案詳細(xì)闡述了如何檢測(cè)SiC外延層厚度、晶格布局，材料結(jié)構(gòu)，形貌以及物理性質(zhì)，表面粗糙度和摻雜濃度。如果需要查看完整的文章，請(qǐng)聯(lián)系我們。
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