1500單溫區(qū)φ50真空管式爐 參考價：面議
該管式爐可以用于抽真空和通氣氛，所以又叫真空管式爐和氣氛管式爐還叫CVD管式爐和實驗管式爐，廣泛用于各種反應(yīng)溫度較高的CVD實驗、真空燒結(jié)、納米材料制備、電池材...
管式氫氣爐 參考價：面議
該管式氫氣爐可以用于抽真空和通氣氛，所以又叫真空管式爐和氣氛管式爐。管式氫氣爐爐管材質(zhì)采用無縫鎳基合金，爐管可用于所有惰性氣體和氧氣到30 PSI（磅力/平方英...
雙溫區(qū)管式爐 參考價：面議
雙溫區(qū)管式爐設(shè)備由雙溫區(qū)管式爐、溫控蒸發(fā)器、濕度監(jiān)測器三部分組成。溫控蒸發(fā)器和濕度監(jiān)測器的組合可以持續(xù)產(chǎn)生符合試驗配比要求的水蒸氣，即通過觀察濕度監(jiān)測器的示數(shù)，...
1200℃管式爐 參考價：面議
1200℃管式爐采用高質(zhì)量電爐絲作為加熱元件，zui高加熱溫度為1200℃，石英爐管管徑為50mm。若客戶有需要，可聯(lián)系技術(shù)人員定制更大管徑的爐管。1200℃管...
三溫區(qū)管式爐 參考價：面議
三溫區(qū)管式爐采用高質(zhì)量電爐絲作為加熱元件，加熱溫度可達1200℃，石英爐管管徑為50mm。若客戶有需要，可聯(lián)系技術(shù)人員定制更大管徑的爐管。本三溫區(qū)管式爐為三溫區(qū)...
雙溫區(qū)管式爐 參考價：面議
雙溫區(qū)管式爐采用高質(zhì)量電爐絲作為加熱元件，加熱溫度可達1200℃，石英爐管管徑為50mm。若客戶有需要，可聯(lián)系技術(shù)人員定制更大管徑的爐管。雙溫區(qū)管式爐為雙溫區(qū)加...
滑道管式爐 參考價：面議
該滑道管式爐由爐體和軌道支架部分組成，同時可搭配進氣系統(tǒng)和真空裝置組成CVD系統(tǒng)?；拦苁綘t默認為600mm長的單溫區(qū)設(shè)計，可以形成較長的恒溫區(qū)域，也可定制為雙...
1200 °C高真空鎳基合金三溫區(qū)管式爐 參考價：面議
三溫區(qū)管式爐采用鎳基合金作為加熱元件，加熱溫度可達1200℃，石英爐管管徑為100mm。若客戶有需要，可聯(lián)系技術(shù)人員定制更大管徑的爐管。本三溫區(qū)管式爐為三溫區(qū)加...
帶磁力推桿雙溫區(qū)管式爐 參考價：面議
本雙溫區(qū)管式爐，配有磁力推桿，結(jié)構(gòu)精巧可靠性高，可在保持爐管真空密閉的情況下對管內(nèi)樣品進行位移操作。配合雙溫區(qū)分別控溫，可以實現(xiàn)用戶的多種熱處理工藝，是材料研究...
三溫區(qū)管式爐 參考價：面議
三溫區(qū)管式爐，爐膛*高溫度可達1200℃，采用進口電阻絲加熱，溫場均勻控溫**。爐管采用316不銹鋼制成，兩側(cè)使用定制法蘭配合水冷組件，可滿足客戶向管內(nèi)通入液體...
感應(yīng)熱重分析爐 參考價：面議
這是一個具有TGA熱重分析)功能的立式管式爐,*高溫度從1200°C到1600°C(可定制)。與傳統(tǒng)的TGA裝置相比,可裝載100 g以上的樣品,為工業(yè)生產(chǎn)提供...
1200℃10L高溫惰性箱式氣氛爐 參考價：面議
氣氛馬弗爐設(shè)計用于可控惰性氣體氣氛下的材料合成，*高溫度可達1200℃，溫度均勻性更好。采用上等氧化鋁纖維磚和進口電阻絲加熱元件，尺寸為200*200*200m...
1200℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃單溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由單溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計和高真空分子泵組組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，同時...
1200℃單溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃單溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng)由單溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計和高真空分子泵租組成。管式爐由精密控溫儀表進行PID控溫，可編輯30段升降溫程序，同時...
PECVD鍍膜儀 參考價：面議
CY-PECVD-450化學(xué)氣相沉積采用等離子體增強型化學(xué)氣相沉積技術(shù)，能夠利用高能量等離子體促進反應(yīng)過程，有效提升反應(yīng)速度，降低反應(yīng)溫度。適用于在光學(xué)玻璃、硅...
單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)PECVD石墨烯制備系統(tǒng) 參考價：面議
單溫區(qū)旋轉(zhuǎn)PECVD，安裝有真空自動投料器，爐管尾部預(yù)留KF40接口可以連接收料罐。投料器采用螺桿進料，可以以額定的速率將粉料送入爐管，投料速率可通過調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)速來...
卷對卷式PECVD 參考價：面議
卷對卷式PECVD是等離子增強型化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD），并加裝了收放卷裝置。本設(shè)備可用于線材的連續(xù)化熱處理工藝中，如碳纖維制備、合金及其他材料線材改性處...
等離子增強CVD系統(tǒng) 參考價：面議
等離子增強CVD系統(tǒng)由等離子發(fā)生器，三溫區(qū)管式爐、單溫區(qū)管式爐、射頻電源、真空系統(tǒng)組成。等離子增強CVD系統(tǒng)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的...
等離子增強型CVD系統(tǒng) 參考價：面議
CY-PECVD50R-1200-Q是一款等離子增強型CVD系統(tǒng)。此系統(tǒng)由150W射頻電源、單溫區(qū)管式爐、3通道質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)、性能優(yōu)異的真空泵組成。
桌面型二合一鍍膜儀 參考價：面議
本產(chǎn)品為二合一鍍膜儀，可用于電子產(chǎn)品、玻璃、陶瓷樣品、金屬等樣品的鍍膜。尤其適合實驗室SEM（掃描電鏡）的樣品制備
1200℃雙溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃雙溫區(qū)3路質(zhì)量供氣高真空CVD系統(tǒng)由雙溫區(qū)管式爐、三路質(zhì)量流量計和高真空分子泵組組成。管式爐兩個溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨立控溫，通過調(diào)節(jié)各個溫區(qū)的溫度...
1200℃三溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃三溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由三溫區(qū)管式爐、三路浮子流量計和高真空分子泵組組成。管式爐三個溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨立控溫，通過調(diào)節(jié)各個溫區(qū)的溫度...
1200℃雙溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng) 參考價：面議
1200℃雙溫區(qū)3路浮子供氣高真空CVD系統(tǒng)由雙溫區(qū)管式爐和三路浮子流量計組成。管式爐兩個溫區(qū)分別由精密控溫儀表獨立控溫，通過調(diào)節(jié)各個溫區(qū)的溫度，該管式爐可以在...
微波燒結(jié)爐 參考價：面議
該微波燒結(jié)爐可實現(xiàn)快速燒結(jié)，比傳統(tǒng)燒結(jié)大約要節(jié)省2/3的時間。該微波燒結(jié)爐是義齒加工****的理想產(chǎn)品。(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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