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浙江大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院/海寧國際聯(lián)合學(xué)院狄大衛(wèi)教授和趙保丹研究員團(tuán)隊(duì)研發(fā)的微米和納米鈣鈦礦LED（micro-PeLED和nano-PeLED）達(dá)到了傳統(tǒng)LED難以觸及的——90nm尺寸新極限，同時降尺度過程僅造成微弱的性能損耗。相關(guān)研究成果以“Downscaling micro- and nano-perovskite LEDs"為題發(fā)表在《自然》上。

這一研究不僅在電子和光子技術(shù)領(lǐng)域具有重要意義，還為未來的顯示技術(shù)、虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）等應(yīng)用提供了新的可能性。

研究團(tuán)隊(duì)展示了通過一種局部接觸制造方案，將鈣鈦礦LED的像素縮小至傳統(tǒng)尺寸限制以下，成功實(shí)現(xiàn)了微米至納米級別的鈣鈦礦LED（micro-PeLEDs/nano-PeLEDs）。具體而言，該團(tuán)隊(duì)展示了特征像素長度從幾百微米到約90納米的微型和納米鈣鈦礦LED。這種制造方法有效地防止了像素邊界的非輻射損失，從而在近紅外和綠色微型PeLEDs中保持了約20%的外量子效率（EQE），即使在縮小像素尺寸的情況下性能也幾乎不減。

特別值得關(guān)注的是，該團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了特征像素長度約為90納米的納米PeLEDs，這些LED代表了迄今為止最小的LED，達(dá)到了127,000像素每英寸（PPI）的超高像素密度。這一成就展示了微型和納米PeLEDs作為下一代光源技術(shù)的巨大潛力，具有緊湊性。

近日，中科院物理所的N07課題組張廣宇研究團(tuán)隊(duì)發(fā)表了一篇題為《Realization of 2D metals at the ?ngstr?m thickness limit》的研究文章。他們的研究揭示了一種通過范德華擠壓方法實(shí)現(xiàn)二維金屬（如Bi、Ga、In、Sn和Pb）的方法，并將其厚度控制在埃米尺度。

二維金屬因其潛在的量子光學(xué)效應(yīng)、拓?fù)溥吘墤B(tài)、超導(dǎo)性等特性而受到廣泛關(guān)注。然而，由于其熱力學(xué)不穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)二維金屬一直是一個挑戰(zhàn)。研究團(tuán)隊(duì)通過在兩個MoS₂單層之間封裝的方式，成功穩(wěn)定了這些二維金屬，并揭示了其本征特性。通過對單層鉍的輸運(yùn)和拉曼測量，研究團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)了新的聲子模式、增強(qiáng)的電導(dǎo)率、顯著的場效應(yīng)和較大的非線性霍爾導(dǎo)電性。

這項(xiàng)研究不僅展示了二維金屬的實(shí)現(xiàn)方法，還為未來量子、電子和光子器件的開發(fā)提供了新的思路。范德華擠壓法被證明是一種普遍適用且有效的方法，能夠?qū)崿F(xiàn)多種二維金屬及其合金，開辟了非范德華材料二維化的新方向。