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混氣管式爐PECVD系統(tǒng)

來(lái)源:鄭州宏朗儀器設(shè)備有限公司   2020年06月04日 19:06  

混氣管式爐PECVD系統(tǒng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

混氣管式PECVD系統(tǒng)由單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計(jì)、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成
PECVD設(shè)備是借助于光放電等方法產(chǎn)生等離子體,光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),工藝流程簡(jiǎn)單。
軟件控制系統(tǒng):該爐配有通訊接口和軟件,可以直接通過(guò)電腦控制爐子的各個(gè)參數(shù),并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運(yùn)行情況,爐子的實(shí)際升溫曲線電腦會(huì)實(shí)時(shí)繪出,并能把每個(gè)時(shí)刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來(lái),隨時(shí)可以調(diào)出。
產(chǎn)品用途:
混氣管式PECVD系統(tǒng)可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、裝飾等領(lǐng)域。
產(chǎn)品參數(shù):

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