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天恒科儀光電耦合測(cè)量系統(tǒng):一體化精密光電性能表征平臺(tái)

來(lái)源:天恒科儀(蘇州)光電有限技術(shù)公司   2025年08月01日 18:15  

在半導(dǎo)體材料與光電器件(如太陽(yáng)能電池、LED、光電探測(cè)器)的研發(fā)與測(cè)試中,高效、精準(zhǔn)且靈活的光電性能表征至關(guān)重要。

天恒科儀光電耦合測(cè)量系統(tǒng),采用高度集成化設(shè)計(jì),將精密電學(xué)測(cè)量與靈活光學(xué)激勵(lì)能力融合于單一平臺(tái),提供高性?xún)r(jià)比的一站式解決方案。

光電耦合測(cè)試系統(tǒng).png


光電耦合測(cè)試系統(tǒng)


核心優(yōu)勢(shì)與設(shè)計(jì)亮點(diǎn)

多源激勵(lì),全譜覆蓋:

支持紫外 (200nm) 至紅外 (2500nm) 寬光譜激勵(lì)。

光源類(lèi)型多樣:氙燈復(fù)合光源、激光器、LED等可選。

采用三光柵單色儀結(jié)合消二次色散設(shè)計(jì),確保輸出單色光純度高,滿(mǎn)足嚴(yán)苛測(cè)試需求。


 

光路智能,尺寸可控:

提供聚焦照明(微區(qū)分析)與均勻照明(大面積掃描)兩種模式。

光斑尺寸可在 1μm 至 5mm 范圍內(nèi)精確連續(xù)調(diào)節(jié),適應(yīng)多樣化測(cè)試場(chǎng)景。


 

模塊擴(kuò)展,功能強(qiáng)大:

基礎(chǔ)平臺(tái)支持選配光致發(fā)光光譜 (PL)、電致發(fā)光光譜 (EL) 等高級(jí)測(cè)試模塊,輕松應(yīng)對(duì)前沿研究挑戰(zhàn)。

A 07-08光電耦合測(cè)量系統(tǒng).jpg



詳細(xì)參數(shù)

精密探針臺(tái):

配備 3.5 μm 分辨率 光學(xué)顯微鏡。

集成 2000萬(wàn)像素 工業(yè)相機(jī),支持 1X-5X 數(shù)碼變焦,實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)觀測(cè)與定位。

兼容性: 六英寸晶圓或獨(dú)立芯片。

定位精度: 高精度四探針系統(tǒng),定位底座分辨率達(dá) 0.7 μm。

電學(xué)接口: 雙通道低噪聲探測(cè)接口,支持旋轉(zhuǎn)測(cè)量。


 

光學(xué)觀測(cè):

探針選擇: 提供多種規(guī)格探針 (針尖: 10μm, 20μm, 50μm, 100μm)。

智能可調(diào)光源:

單色光輸出范圍:250nm - 1700nm。

輸出帶寬 (帶寬):連續(xù)可調(diào)。

集成六位自動(dòng)濾光片輪,適用 200nm - 1800nm。

光源核心: 150W 氙燈光源,覆蓋 200nm - 2500nm。

分光核心: 三光柵單色儀,焦距 300mm,采用非對(duì)稱(chēng)消像差光路設(shè)計(jì),有效抑制雜散光。


 

輸出特性:

智能控制: 軟件全自動(dòng)控制波長(zhǎng)掃描、濾光片切換、步長(zhǎng)、延遲時(shí)間等。

光路配置: 支持定制光纖輸出,實(shí)現(xiàn)光路靈活配置。


 

高性能數(shù)字源表 (SMU):

電流分辨率:0.1 fA (飛安培)。

電壓分辨率:1 μV (微伏)。

電壓:±200mV ~ ±200V。

電流:±1μA ~ ±1A。

功率:20W。


 

寬范圍輸出/測(cè)量:

超高精度:

工作模式: 四象限工作,可無(wú)縫切換源 (Source) 與 (Sink) 模式。

豐富功能: 內(nèi)置電壓比較器,數(shù)字I/O,支持觸發(fā)掃描。

通訊接口: GPIB, RS-232, USB, LAN。


 

多功能測(cè)試軟件:

配置輸出通道、測(cè)量通道。

設(shè)置掃描模式 (電壓、電流、光波長(zhǎng)、功率、時(shí)間等)。

自定義步長(zhǎng)、延遲時(shí)間、循環(huán)次數(shù)。

集中控制: 統(tǒng)一界面控制光源、源表 (SMU)、運(yùn)動(dòng)平臺(tái)等所有設(shè)備。


 

應(yīng)用領(lǐng)域

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光電器件表征: 

太陽(yáng)能電池(IV, QE/IPCE, EL)、LED/激光器(LIV, 光譜, 近場(chǎng))、光電探測(cè)器(響應(yīng)度, 暗電流, 噪聲)。


 

半導(dǎo)體材料分析: 

光致發(fā)光光譜(PL)、電致發(fā)光光譜(EL)測(cè)試,用于材料能帶結(jié)構(gòu)、缺陷態(tài)、載流子動(dòng)力學(xué)等研究。


 

微納器件測(cè)試:

 對(duì)MEMS、傳感器、小型化光電器件進(jìn)行精密的光電性能與可靠性測(cè)試。


 

工藝監(jiān)控與質(zhì)量控制:

在半導(dǎo)體和光電子器件生產(chǎn)線上進(jìn)行快速、自動(dòng)化的參數(shù)測(cè)試與分選


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