當(dāng)前位置：湖南艾克賽普測控科技有限公司>>技術(shù)文章展示
您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)！ 登錄| 免費注冊| 產(chǎn)品展廳| 收藏商鋪|
您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)！ 登錄| 免費注冊| 產(chǎn)品展廳| 收藏商鋪|
0731-84284278
7
當(dāng)前位置：湖南艾克賽普測控科技有限公司>>技術(shù)文章展示
2024
12-04EMC電磁兼容系統(tǒng)在電子設(shè)備設(shè)計中的重要性
電磁兼容性是指電子設(shè)備在正常工作狀態(tài)下，既能在不產(chǎn)生干擾的情況下與其他設(shè)備共同工作，又能在受到外部電磁干擾的情況下保持其正常功能的能力。在電子設(shè)備的設(shè)計過程中，EMC電磁兼容系統(tǒng)的設(shè)計和考慮是至關(guān)重要的，涉及到設(shè)備的性能、穩(wěn)定性、安全性及其與其他設(shè)備的互操作性。EMC電磁兼容系統(tǒng)在電子設(shè)備設(shè)計中的重要性，體現(xiàn)在以下幾個方面：1、保障設(shè)備性能和穩(wěn)定性：許多電子設(shè)備，尤其是高精度設(shè)備對電磁干擾非常敏感。它能夠確保這些設(shè)備在受到干擾時，依然能夠正常工作，不會出現(xiàn)誤動作、功能失效或者數(shù)據(jù)丟失等問題。例如2024
12-042024
12-03R&S EMI測試接收器 用于高達(dá)30MHz的發(fā)射測量
R&SEPL1000是一款緊湊、完整且符合CISPR16-1-1標(biāo)準(zhǔn)的測量接收機，用于快速精確測量高達(dá)30MHz的EMI。自帶的頻譜分析儀和跟蹤信號發(fā)生器功能使R&SEPL1000成為各種實驗室應(yīng)用的理想選擇。羅德與施瓦茨（以下簡稱“R&S公司”）展示了新的R&SEPL1000EMI測量接收機，用于可靠的認(rèn)證測量，同時大大減少測試時間。R&SEPL1000符合CISPR16-1-1標(biāo)準(zhǔn)，適用于認(rèn)證測量。當(dāng)用于預(yù)認(rèn)證時，該儀器還能減少預(yù)認(rèn)證測量的不確定性。非常快的時域掃描讓R&SEPL1000可以2024
12-022024
11-29R&S展示寬帶DVB-S2X波束跳動和DVB-RCS2傳輸技術(shù)
羅德與施瓦茨（以下簡稱"R&S公司"）展示了寬帶1000MHzDVB-S2X軟件定義無線電（SDR）調(diào)制解調(diào)器ASIC，相當(dāng)于在一個共同的測試設(shè)置中，將8個VSAT調(diào)制解調(diào)器放在一個芯片上。同時R&S展示了端到端的測試基礎(chǔ)設(shè)施，其中包括R&SSMW200A矢量信號發(fā)生器和R&SFSW信號和頻譜分析儀，以及SatixFy的Sx3099調(diào)制解調(diào)器ASIC，演示DVB-S2XAnnexE寬頻帶波束跳變和高比特率DVB-RCS2傳輸。圖：用R&SFSW分析的DVB-S2X波束跳動信號（左）和用R&SFS2024
11-282024
11-272024
11-26布魯克 紅外顯微鏡(IR)在半導(dǎo)體行業(yè)檢測應(yīng)用
電子設(shè)備在當(dāng)今的現(xiàn)代技術(shù)中非常普遍。每個人在使用電子設(shè)備時都可能間接遇到并使用過硅片。晶片是一種用于制造電子集成電路的薄半導(dǎo)體材料襯底。有各種類型的半導(dǎo)體材料，并且在電子器件中的半導(dǎo)體材料是硅（Si）。硅片是集成電路的重要組成部分。它是通過切割高純度、幾乎無缺陷的單晶硅棒制成的，用作制造晶圓內(nèi)部和表面微電子器件的襯底。硅片在生長、切割、研磨、蝕刻和拋光過程中積累殘余應(yīng)力。因此，硅片在整個制造過程中可能會產(chǎn)生裂紋。如果沒有檢測到裂紋，那些含有裂紋的晶片將在隨后的生產(chǎn)階段產(chǎn)生無用的產(chǎn)品。當(dāng)將集成電路2024
11-252024
11-25電能質(zhì)量(PQ)測量在當(dāng)今電力基礎(chǔ)設(shè)施中的重要性
一、當(dāng)今電力基礎(chǔ)設(shè)施對電能質(zhì)量測量的需求由于發(fā)電模式以及能源消費結(jié)構(gòu)不斷變化，電能質(zhì)量重新受到關(guān)注。不同電壓水平的可再生能源實現(xiàn)了增長，導(dǎo)致PQ相關(guān)的問題增多。由于在電網(wǎng)的多個入口點增加了多種電壓水平的不同步負(fù)載，消費模式也發(fā)生了廣泛的變化。例如，電動汽車(EV)充電樁可能需要數(shù)百千瓦功率和大量數(shù)據(jù)中心及其相關(guān)設(shè)備，如供暖、通風(fēng)和空調(diào)。在工業(yè)應(yīng)用中，由變頻驅(qū)動器運行的電弧爐、開關(guān)變壓器等不僅會給電網(wǎng)增加許多不良諧波，而且會導(dǎo)致電壓突降、突升、瞬時掉電和閃爍。圖1.電能質(zhì)量問題電力領(lǐng)域的電能質(zhì)量是2024
11-22多個頻率同時測試，TH2839+自動化測試系統(tǒng)降本增效
在磁性元件中，一種由非晶材料加工而成的磁性元件—非晶磁環(huán)，因其高磁導(dǎo)率、高電感量、抗干擾、安全性能強等優(yōu)異的性能，在各行各業(yè)中有著一定的優(yōu)勢。在汽車電子中，可滿足高頻開關(guān)電源中各大中小功率的主變壓器、控制變壓器、濾波電感等在不同環(huán)境下的實際使用效果；在電源領(lǐng)域中，非晶磁環(huán)可以輸出儲能濾波電感，保證電流輸出的穩(wěn)定性；在電腦線路領(lǐng)域中，非晶磁環(huán)可以提高設(shè)備的使用性能和穩(wěn)定性。為了滿足非晶磁環(huán)在不同使用條件下的測試，有只對單個頻率有電感要求的，也有對多個不同頻率的電感要求，本次將對汽車電子中的非晶磁環(huán)2024
11-212024
11-202024
11-192024
11-18同惠 TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀讓新能源車充電效率更快
一、研究背景隨著我國加快實現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”的目標(biāo)，電氣化替代已成為實現(xiàn)目標(biāo)的關(guān)鍵。近年來新能源呈爆發(fā)式增長，充電樁作為新能源汽車的基礎(chǔ)配套設(shè)備，其數(shù)量與質(zhì)量也是消費者選擇電動汽車的重要影響因素。當(dāng)前，MOSFET在國內(nèi)充電樁企業(yè)批量應(yīng)用，是新能源汽車充電樁的“心臟”。MOSFET即金屬－氧化物－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱MOS管，主要有三個引腳：漏極、源極和柵極，屬于絕緣柵型，其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻。二、為什么要測試MOSFET的好壞？在充2024
11-15如何降低功率組件發(fā)生絕緣質(zhì)量異常(局部放電)
一、功率組件普遍皆存在局部放電的議題，但您知道何謂局部放電(PartialDischarge)嗎?當(dāng)電壓施加在含有兩個以上絕緣材料的絕緣物體時，有一個絕緣材料發(fā)生放電且至少仍有一個絕緣材料維持正常的絕緣狀態(tài)，此放電現(xiàn)象稱之為局部放電。舉例來說，當(dāng)待測物的絕緣材料中存在異常氣隙，因為空氣的介電系數(shù)比絕緣材料低以及空氣的崩潰電壓比絕緣材料低，所以異常氣隙處會分到相對高比例的電壓且容易發(fā)生局部放電。因此，當(dāng)對待測物施加足夠的測試電壓時，可以利用局部放電偵測量測放電的電荷量(pC)，確認(rèn)待測物的絕緣材料2024
11-142024
11-13微型中低頻點聲源 Simcenter Qsources Q-IND2
一、體積聲源/Qsource憑借40多年來在振動噪聲技術(shù)上的豐富經(jīng)驗，西門子Simcenter工程咨詢團隊打造了SimcenterQsources硬件家族，為用戶提供了創(chuàng)新型激勵設(shè)備。SimcenterQsources家族涵蓋了各種高級激勵硬件，主要分為結(jié)構(gòu)激勵設(shè)備（激振器）和聲學(xué)激勵設(shè)備（體積聲源），可實現(xiàn)硬件與SimcenterTestlab軟件的無縫結(jié)合。這種組合使得產(chǎn)品在效率、數(shù)據(jù)精度和客戶預(yù)期等方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出目前市場的標(biāo)準(zhǔn)。SimcenterQsources家族中的激振器主要有4個型號，2024
11-122024
11-08掃一掃訪問手機商鋪
以上信息由企業(yè)自行提供，信息內(nèi)容的真實性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé)，化工儀器網(wǎng)對此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。
溫馨提示：為規(guī)避購買風(fēng)險，建議您在購買產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。