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2021
09-152000℃真空感應(yīng)熔爐/澆注爐 技術(shù)參數(shù)
2000℃真空感應(yīng)熔爐/澆注爐產(chǎn)品型號:IMCS-2000產(chǎn)品概述:IMCS-2000-是一款精簡版高真空感應(yīng)熔煉&鑄造爐,可熔煉各種合金,最大熔煉量可達(dá)1kg(按Fe密度算),最高熔煉溫度可以達(dá)到2000℃,配有二次加料機構(gòu),可在真空或氣氛保護環(huán)境下進行二次加料。安裝了高溫攪拌機構(gòu),可在真空或氣氛環(huán)境下對熔煉樣品進行高溫攪拌,使熔煉更加均勻。真空度可達(dá)10-6Torr(采用分子泵系統(tǒng))。此款設(shè)備是一款價格低廉的金屬研究利器。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品特點·價格便宜,低成本可在保護氣氛下進行金屬熔煉和鑄造·最2021
09-142021
09-13經(jīng)典實驗-薄膜/極片-科晶輥壓機輥軋極限的初步探究
經(jīng)典實驗-薄膜/極片-科晶輥壓機輥軋極限的初步探究科晶售賣的的輥壓機種類有很多,比如桌面型輥壓機,大型卷對卷型輥壓機以及大功率不可加熱的冷軋機等。種類繁多,本次是對實驗室常見桌面式輥壓機的輥軋極限做初步探究。探究起源:很多客戶在做薄膜類材料時想通過輥壓的形式來對材料進行減薄或提高致密度,總是會問到輥壓機輥軋極限的問題,科晶應(yīng)用技術(shù)實驗室針對輥軋極限問題做如下初步探究。實驗所用設(shè)備:100℃100mm輥寬加熱電動軋機--MSK-HRP-01。圖1100℃100mm輥寬加熱電動軋機--MSK-HRP2021
09-092021
09-082021
09-072021
09-062021
09-03切磨拋系統(tǒng)制備生物塑化標(biāo)本、軟硬組織聯(lián)合切片
切磨拋系統(tǒng)制備生物塑化標(biāo)本、軟硬組織聯(lián)合切片科晶醫(yī)學(xué)材料切磨拋系統(tǒng)所含設(shè)備:本套系統(tǒng)主要應(yīng)用于使用常規(guī)制樣方法無法制備成組織學(xué)切片的組織標(biāo)本,該系統(tǒng)通過切割即可獲得毫米級的薄片狀組織學(xué)切片,再經(jīng)過取材固定及脫水處理后用光固化樹脂浸透、包埋,再行切片、磨片、拋光、染色等步驟制成厚約10μm的醫(yī)學(xué)組織薄片,最后在光學(xué)顯微鏡下進行組織觀察及診斷。因此,該套系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于口腔、骨科、腫瘤以及整形外科等醫(yī)學(xué)研究領(lǐng)域:如骨科軟硬組織聯(lián)合切片,植入物觀察等;切割鮮活組織和包埋后的股骨組織、髖關(guān)節(jié)組織,帶植入物2021
09-022021
09-01經(jīng)典實驗-薄膜/極片-濺射儀鍍膜-機械泵回油檢測
經(jīng)典實驗-薄膜/極片-濺射儀鍍膜-機械泵回油檢測報告實驗名稱:濺射儀鍍膜-機械泵回油檢測報告實驗?zāi)康模簩嶒炇曳謩e以機械泵、機械泵加冷阱、愛德華分子泵對濺射腔體進行抽真空并濺射金膜,并且每組做兩個樣品進行對比,檢測三種情況下金膜質(zhì)量。(由客戶反饋科晶實驗室濺射儀做掃描電鏡鍍金效果差,實驗室分別準(zhǔn)備了兩組對比試驗與客戶鍍金樣品進行對比,并參考對比結(jié)果進行了兩組探究試驗,詳細(xì)內(nèi)容及結(jié)論請參考以下:)實驗設(shè)備:磁控濺射儀VTC-16-SM、機械泵TRP-12、氬氣、金靶、冰塊及冷阱、愛德華分子泵。對比案2021
08-312021
08-302021
08-272021
08-252021
08-242021
08-23金剛石線切割機、研磨拋光機對壓電陶瓷的切割、研磨、拋 光工藝 壓電效應(yīng)
金剛石線切割機、研磨拋光機對壓電陶瓷的切割、研磨、拋光工藝壓電效應(yīng)某些材料在機械應(yīng)力作用下,引起內(nèi)部正負(fù)電荷中心相對位移而發(fā)生極化,導(dǎo)致材料兩端表面出現(xiàn)符號相反的束縛電荷的現(xiàn)象,稱為壓電效應(yīng)。反之,當(dāng)這類材料在外電場作用下,其內(nèi)部正負(fù)電荷中心移位,又可導(dǎo)致材料發(fā)生機械變形,形變的大小與電場強度成正比。具有這種性能的陶瓷稱為壓電陶瓷,它的表面電荷的密度與所受的機械應(yīng)力成正比。vv壓電陶瓷作為壓電陶瓷的原材料,在晶體結(jié)構(gòu)上一定是不具有對稱中心的晶體,如氧化鉛、氧化鋯、氧化鈦、碳酸鋇、氧化鈮、氧化鎂、2021
08-20旋轉(zhuǎn)涂膜機在半導(dǎo)體光刻工藝中的應(yīng)用
旋轉(zhuǎn)涂膜機在半導(dǎo)體光刻工藝中的應(yīng)用半導(dǎo)體光刻工藝過程要在潔凈室中進行,且潔凈室的等級要達(dá)到半導(dǎo)體光刻工藝的要求。光刻的目的是將掩膜版的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠,再通過刻蝕將光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面。光刻工藝的基本過程:涂膠:涂膠時選用沈陽科晶自動化設(shè)備有限公司制造的VTC-100PA-UV紫外光旋轉(zhuǎn)涂膜機將光刻膠均勻的涂在硅片表面,膜厚度與旋轉(zhuǎn)速度的平方根成反比。前烘:涂膜后使用HT-150型精密烤膠機對硅片進行前期烘烤,去除膠內(nèi)的溶劑,從而提高膠體在硅片表面的粘附力,提高膠體薄膜的抗機械摩擦能力,并2021
08-182021
08-17用 STX-100QX 金剛石曲線切割機切割炭纖維復(fù)合材料及玻璃
用STX-100QX金剛石曲線切割機切割炭纖維復(fù)合材料及玻璃STX-100QX金剛石曲線切割機形貌如圖一所示:圖一金剛石曲線切割機形貌圖由科晶設(shè)計研發(fā)的金剛石曲線切割機,是我公司*使用金剛石線對非金屬及金屬材料進行曲線切割的設(shè)備。該設(shè)備可通過編程設(shè)置切割形狀,然后金剛石線按程序所設(shè)置的路徑行走,從而切割出各種不同的形狀。該設(shè)備有效解決了一些難加工材料曲線切割的難題,如陶瓷材料、晶體材料、紅外光學(xué)材料(如硒化鋅、硫化鋅、硅、鍺等晶體)、熱電材料(如碲化鉍,碲化鉛、硅鍺合金等)、玻璃、巖樣、玉石、P2021
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