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2022
05-202022
05-112022
05-09太陽能電池分析技術(shù)(5):瞬態(tài)光電流 TPC
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽能電池的不同光電表征技術(shù),同時提取和分析重要的器件參數(shù),例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。瞬態(tài)光電流(TPC)在瞬態(tài)光電流(TPC)測試中,測量恒定偏置電壓(也可設(shè)置為0V)下光伏器件由于光脈沖而產(chǎn)生的瞬態(tài)電流響應(yīng)過程。電流上升和衰減揭示了電荷載流子遷移率、陷阱和摻雜的信息。TPC通常在不同的偏置電壓、偏置光或光脈沖強(qiáng)度下進(jìn)行測試。對于有機(jī)太陽能電池,瞬態(tài)光電流上升時間通常在1~100μs之間;在鈣鈦2022
05-092022
04-27用來裝置日本SAN-EI 雙燈太陽光模擬器的光源通常有哪幾種?
日本SAN-EI雙燈太陽光模擬器分為穩(wěn)態(tài)太陽模擬器和脈沖式太陽模擬器標(biāo)準(zhǔn)地面陽光條件具有1000w/m2的輻照度,AM1.5的太陽光譜以及足夠好的均勻性和穩(wěn)定性,這樣的標(biāo)準(zhǔn)陽光在室外能找到的機(jī)會很少,而太陽電池又必須在這種條件下測量,因此,用人造光源來模擬太陽光,即所謂太陽模擬器。穩(wěn)態(tài)太陽模擬器是在工作時輸出輻照度穩(wěn)定不變的太陽模擬器,它的優(yōu)點是能提供連續(xù)照射的標(biāo)準(zhǔn)太陽光,使測量工作能從容不迫的進(jìn)行。缺點是為了獲得較大的輻照面積,它的光學(xué)系統(tǒng),以及光源的供電系統(tǒng)非常龐大。因此比較適合于制造小面積2022
04-242022
04-21太陽能電池分析技術(shù)(4):深能級瞬態(tài)光譜 DLTS
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽能電池的不同光電表征技術(shù),同時提取和分析重要的器件參數(shù),例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。深能級瞬態(tài)光譜(DLTS)深能級瞬態(tài)光譜(DLTS)是一種用于研究半導(dǎo)體及光伏器件中電荷載流子陷阱的技術(shù)。用于提取有關(guān)陷阱密度和陷阱分布的重要信息。圖1DLTS測試中,在不同溫度下施加不同電壓信號,測量隨時間的推移電容、電流(i-DLTS)或電荷(Q-DLTS)的變化。DLTS用于測量GaAs半導(dǎo)體器件在不同溫度2022
03-30太陽能電池分析技術(shù)(3):瞬態(tài)光電壓 TPV、開路電壓衰減 OCVD
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽能電池的不同光電表征技術(shù),同時提取和分析重要的器件參數(shù),例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。開路電壓衰減OCVD在開路條件下,太陽能電池中外部電流為零。因此,電荷產(chǎn)生等于復(fù)合的電荷。開路條件下通常適合于研究太陽能電池中的載流子再復(fù)合和陷阱動力學(xué)。開路電壓衰減(OCVD,有時也稱為大信號瞬態(tài)光電壓TPV)測量揭示了器件的復(fù)合和并聯(lián)電阻的信息。在OCVD測量中,首先由光源LED或激光照射太陽能電池,以產(chǎn)生電2022
03-23太陽能電池分析技術(shù)(2):Photo-CELIV線性增壓載流子抽取
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽能電池的不同光電表征技術(shù),同時提取和分析重要的器件參數(shù),例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。線性增壓載流子抽取(CELIV)技術(shù)目前備受科研工作者青睞,主要用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽能電池中電荷載流子遷移率測量與分析。本章將著重介紹各種類型的CELIV測試技術(shù),它們都是基于相同的方法:由外部觸發(fā)在材料中產(chǎn)生位移電流并被測量,用于抽取材料本身的重要信息。我們可以通過CELIV測量技術(shù)來抽取有機(jī)/鈣鈦礦太陽能電池2022
03-21原位薄膜應(yīng)力測試儀是各領(lǐng)域薄膜制備中性價比較高的儀器
原位薄膜應(yīng)力測試儀是基于基片彎曲法原理,利用Stoney方程,用于能反射激光的各種剛性基體表面的薄膜殘余應(yīng)力的測試,如Si基片、表面拋光的不銹鋼基片、鈦合金基片、鋁合金基片等。原位薄膜應(yīng)力測試儀,又名薄膜殘余應(yīng)力測試儀或薄膜應(yīng)力儀,是專門用于測試和研究薄膜材料和薄膜制備工藝的不可少的工具。薄膜中應(yīng)力的大小和分布對薄膜的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有重要的影響,可導(dǎo)致薄膜的光、電、磁、機(jī)械性能改變.例如,薄膜中的應(yīng)力是導(dǎo)致膜開裂或與基體剝離的主要因素,薄膜中存在的殘余應(yīng)力很多情況下影響MEMS器件結(jié)構(gòu)的特性,甚至嚴(yán)2022
03-172022
02-24日本SAN-EI 太陽光模擬器克服了太陽光輻射受時間和氣候影響
日本SAN-EI太陽光模擬器是用來模擬太陽光的設(shè)備,一般包含光源、供電及控制電路、計算機(jī)等組成部分,基本原理是利用人工光源模擬太陽光輻射,以克服太陽光輻射受時間和氣候影響,并且總輻照度不能調(diào)節(jié)等缺點,廣泛用于航空航天、光伏、農(nóng)業(yè)等領(lǐng)域,采用電源與燈箱分體設(shè)計,燈箱主體采用太陽花風(fēng)冷散熱形式,光路轉(zhuǎn)向結(jié)構(gòu)采用多次濾光結(jié)構(gòu),濾除了大量紅外光,減小實驗中紅外線對溶液或樣品的加熱作用。太陽光模擬器外殼是由真空系統(tǒng)制造,并保證通過密封的低靈敏度進(jìn)行密封測試,當(dāng)將太陽模擬器放置在真空室內(nèi)時,無法執(zhí)行傳統(tǒng)的強(qiáng)2022
02-232022
01-242022
01-172021
12-292021
12-292021
11-26日本SAN-EI 太陽光模擬器可實現(xiàn)全天候不間斷的光照條件
日本SAN-EI太陽光模擬器可以模擬實驗、生產(chǎn)所需的太陽光照條件,可實現(xiàn)全天候不間斷的光照條件,使實驗、生產(chǎn)不受環(huán)境影響,提供高效便捷的測試條件。適用于單晶硅、多晶硅、非晶薄膜、燃料敏化、有機(jī)、半導(dǎo)體等需要模擬太陽光照條件的應(yīng)用。那么評價太陽光模擬器的指標(biāo)參數(shù)有哪些呢?下面我們一起來看看。1、輻照不穩(wěn)定度輻照不穩(wěn)定度是太陽光模擬器的一種性能參數(shù),它要求輸出光束保持長時間穩(wěn)定性,以確保光源波動不會造成測試結(jié)果失真,進(jìn)而影響到電池分級。日本SAN-EI太陽光模擬器采用了高穩(wěn)定短弧氙燈,并用高穩(wěn)定低紋2021
11-26太陽能電池分析技術(shù)(1):理想因子、開路電壓與光強(qiáng)
本系列文章將介紹用于有機(jī)和鈣鈦礦太陽能電池的不同光電表征技術(shù),同時提取和分析重要的器件參數(shù),例如穩(wěn)態(tài)性能、瞬態(tài)光電壓、瞬態(tài)光電流、電荷載流子遷移率、電荷密度、陷阱密度、阻抗、理想因子等。JV曲線測量是太陽能電池的最常規(guī)的表征技術(shù)。太陽能電池的短路電流(Isc)、開路電壓(Voc)、填充因子(FF)、最大功率點(MPP)和功率轉(zhuǎn)換效率等重要參數(shù)都是由JV曲線獲得。Voc是光伏器件中電流為零時電壓,如圖1所示。圖1:光照和暗態(tài)下電流電壓曲線(左:線性,右:對數(shù))示意圖,注明了上文提到的參數(shù)。測量開路2021
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