VIL1000激光干涉光刻機
VIL1000激光干涉光刻機
1、 可實現(xiàn)同一晶圓上不同納米結(jié)構(gòu)的分區(qū)光刻；
2、 制作各種一維、二維納米圖案；
3、 最小線寬低于50nm；
4、 與其他同類設(shè)備的功能對比圖如下：
電子束直寫 | 激光直寫 | 紫外光刻機 | 激光干涉光刻機 | |
設(shè)備示例 |  |
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代表廠商 | 德國的Raith和Vistec, 日本的JEOL和Elionix | 海德堡和Raith | Eulitha | InterLitho |
代表性產(chǎn)品型號 | Raith EBPG Plus | 海德堡 DWL 66+ | Eulitha PhableR 100 | VIL1000 |
主要用途 | 高分辨率掩模版制造和納米結(jié)構(gòu)的制備 | 對分辨率要求不高的掩模版制造和納米結(jié)構(gòu)制備 | 分辨率適中的納米結(jié)構(gòu)制備 | 大面積、低成本、高通量制備高分辨率周期性納米結(jié)構(gòu)，用于微納光學(xué)、生物芯片等新興應(yīng)用 |
刻寫的最小物理線寬 | <10nm | ~300nm | 60nm | 40nm |
價格和維護成本 | 高 | 中 | 中 | 較低 |
自動化程度 | 全自動 | 全自動 | 部分手動 | 全自動 |
設(shè)備效率 | 低 | 低 | 高 | 高 |
需要掩模 | 否 | 否 | 是 | 否 |
特征尺寸調(diào)制難度 | 難，樣品需要重新刻寫 | 難，樣品需要重新刻寫 | 難，需要重新刻寫模板 | 容易，幾分鐘可實現(xiàn) |
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