NRE-4000（A）全自動(dòng)反應(yīng)離子刻蝕
- 公司名稱 那諾中國(guó)有限公司
- 品牌
- 型號(hào)
- 產(chǎn)地 美國(guó)
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2025/4/28 7:57:16
- 訪問次數(shù) 1815
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ALD，PECVD，RIE，磁控濺射，熱蒸鍍，電子束，離子束，晶圓清洗機(jī)，PA-MOCVD，飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）
| 產(chǎn)地類別 | 進(jìn)口 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),電子/電池,制藥/生物制藥 |
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反應(yīng)離子刻蝕
NRE-4000（A）全自動(dòng)反應(yīng)離子刻蝕概述：
NRE-4000是一款獨(dú)立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗,另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持至大到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥,一個(gè)250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過600W,13.56MHz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500V.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
該系統(tǒng)是基于PC控制的全自動(dòng)系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實(shí)時(shí)顯示,流量及功率則以數(shù)字形式實(shí)時(shí)顯示.系統(tǒng)提供密碼保護(hù)的四級(jí)訪問功能:操作員級(jí)、工程師級(jí)、工藝人員級(jí),以及維護(hù)人員級(jí).允許半自動(dòng)模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式), 和全自動(dòng)執(zhí)行程序模式(操作模式)運(yùn)行系統(tǒng)?；谌詣?dòng)的控制，該系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。
NRE-4000（A）全自動(dòng)反應(yīng)離子刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)：
- 鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體
- 不銹鋼立柜
- 能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬
- 典型的硅刻蝕速率，400 ?/min
- 高達(dá)12”的陽極氧化鋁RF樣品臺(tái)
- 水冷及加熱的RF樣品臺(tái)
- 大自偏壓
- 淋浴頭氣流分布
- 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr級(jí)別
- 渦輪分子泵
- 至多支持8個(gè)MFC
- 無繞曲氣體管路
- 自動(dòng)下游壓力控制
- 雙刻蝕能力支持：RIE以及PE刻蝕（可選）
- 終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
- 氣動(dòng)升降頂蓋
- 自動(dòng)上下載片
- 預(yù)真空鎖
- 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制
- 菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問保護(hù)
- *的安全聯(lián)鎖
- 可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺(tái)，用于深硅刻蝕
Features：
- Aluminum or Stainless Steel Chamber
- Stainless Steel Cabinet
- Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals
- Typical Si etch rate, 400 ?/min
- Up to 12“ Anodized RF Platen
- Water Cooled and Heated RF Platen
- Large Self Bias
- Shower Head gas distribution
- Approximay 10-6 Torr < 20 minutes, ~ 5 x10-7 Torr base pressure
- Turbomolecular Pump
- Up to eight MFCs
- No flexing of gas lines
- Down Stream Pressure Control
- Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）
- End Point Detection
- Pneumatically Lifted Top
- Automatic loading/unloading
- Load Lock
- PC Controlled with LabVIEW
- Recipe Driven, Password Protected
- ully Safety Interlocked
- Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch
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