替代RU6099應(yīng)用16串增強(qiáng)型mos管工藝
RU6099在早期的研究中，人們把Trench MOS研究的焦點(diǎn)集中在擊穿電壓在50V以下的應(yīng)用上。主要關(guān)注Trench MOS的特征導(dǎo)通電阻。通過增加單胞密度，縮短溝道長(zhǎng)度，降低閾值電壓等方法使得Trench MOS的源漏RpsON最小。1989年30V傳統(tǒng)Trench MOS(阻下簡(jiǎn)稱LIMOS)原胞密度可以做到1000uΩ.c㎡,1991年傳統(tǒng)UMOS就得到了長(zhǎng)足的發(fā)展，50V耐壓下原胞密度能達(dá)到580uΩ.c㎡7.隨著Trench MOS越來越廣泛的應(yīng)用。柵電容也逐漸成為人們關(guān)注的又一個(gè)焦點(diǎn)。由于柵電容直接關(guān)系到器件的開關(guān)速度，許多高頻的應(yīng)用希望Trench MOS的電容越低越好。但是，柵電容是隨著單胞密度的增加而增加，所以它和器件的特征導(dǎo)通電阻是矛盾的。于是接著，許多研究就開始集中在RDSON和Qgd乘積Fom值上。

RU6099后道生產(chǎn)主要指封裝測(cè)試，把晶粒制造成我們平時(shí)所看到的樣式. 當(dāng)產(chǎn)品封裝完畢后，需要再次通過測(cè)試來驗(yàn)證產(chǎn)品的電性能，確保成品能夠符合產(chǎn)品規(guī)格. 由于這次測(cè)試屬于后道生產(chǎn)的個(gè)流程，也是整個(gè)生產(chǎn)流程的，所以被稱為最終測(cè)試， 即Final Test。

例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。

要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：

1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS

2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。

3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。

4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。

5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。

另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹

華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代RU6099應(yīng)用16串增強(qiáng)型mos管封裝
RU6099PGA封裝樣式
RU6099其芯片基板多數(shù)為陶瓷材質(zhì)，也有部分采用特制的塑料樹脂來做基板，在工藝上，引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64到447不等。
RU6099這種封裝的特點(diǎn)是，封裝面積（體積）越小，能夠承受的功耗（性能）就越低，反之則越高。這種封裝形式芯片在早期比較多見，且多用于CPU等大功耗產(chǎn)品的封裝，如英特爾的80486、Pentium均采用此封裝樣式；不大為MOS管廠家所采納。



需要了解更多關(guān)于替代RU6099應(yīng)用16串增強(qiáng)型mos管信息，請(qǐng)聯(lián)系我們的客戶經(jīng)理！
華鎂用“芯”為您服務(wù)-替代RU6099應(yīng)用16串增強(qiáng)型mos管