代換AOT266應(yīng)用30V芯片mos管封裝
AOT266PGA封裝樣式
AOT266其芯片基板多數(shù)為陶瓷材質(zhì)，也有部分采用特制的塑料樹脂來做基板，在工藝上，引腳中心距通常為2.54mm，引腳數(shù)從64到447不等。
AOT266這種封裝的特點(diǎn)是，封裝面積（體積）越小，能夠承受的功耗（性能）就越低，反之則越高。這種封裝形式芯片在早期比較多見，且多用于CPU等大功耗產(chǎn)品的封裝，如英特爾的80486、Pentium均采用此封裝樣式；不大為MOS管廠家所采納。

代換AOT266常見問題
1、AOT266mos管小電流發(fā)熱的原因：

1）電路設(shè)計(jì)的問題：就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)，這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。

如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能*導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有*打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的最忌諱的錯(cuò)誤。

2）頻率太高：主要是有時(shí)過分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。

3）沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)：電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。

4）AOT266MOS管的選型有誤：對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。

2、AOT266mos管小電流發(fā)熱嚴(yán)重怎么解決：

做好MOS管的散熱設(shè)計(jì)，添加足夠多的輔助散熱片。

貼散熱膠。

3、AOT266MOS管為什么可以防止電源反接？

電源反接，會給電路造成損壞，不過，電源反接是不可避免的。所以，我們就需要給電路中加入保護(hù)電路，達(dá)到即使接反電源，也不會損壞的目的。

一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決，不過，由于二極管有壓降，會給電路造成不必要的損耗，尤其是電池供電場合，本來電池電壓就3.7V，你就用二極管降了0.6V，使得電池使用時(shí)間大減。

MOS管防反接，好處就是壓降小，小到幾乎可以忽略不計(jì)?，F(xiàn)在的MOS管可以做到幾個(gè)毫歐的內(nèi)阻，假設(shè)是6.5毫歐，通過的電流為1A（這個(gè)電流已經(jīng)很大了），在他上面的壓降只有6.5毫伏。

由于MOS管越來越便宜，所以人們逐漸開始使用MOS管防電源反接了。

4、電池保護(hù)板MOS管放電過程中燒壞的原因

AOT266MOS管燒壞的情況在焊接過程中有短路現(xiàn)象，放電過程中MOS管沒有*打開，處于關(guān)閉或半打開狀態(tài)，PCBA內(nèi)阻變大，長時(shí)間大電流放電，發(fā)熱燒壞、燒糊。

生產(chǎn)組裝過程有靜電殘留，或在充放電過程中有外部異常電流／大電壓充放電過程導(dǎo)致MOS管被損壞、燒糊。

保護(hù)板MOS管燒壞處理方法：建議在焊接串線過程時(shí)先焊B4-線（因?yàn)榭拷麭2串的R19短路的風(fēng)險(xiǎn)大）然后在焊接B2串，這樣可以規(guī)避B2和B4短路引起的不良。

AOT266MOS管燒壞防護(hù)措施：生產(chǎn)過程各環(huán)節(jié)做好ESD防護(hù)工作，焊接過程中特別是帶電崗位防止觸碰元器件或線路，建議在焊接串線過程中先焊B4再焊B2線。

5、超過GS或DS耐壓造成MOS擊穿

設(shè)計(jì)時(shí)要對GS和DS的耐壓有足夠的余量。不要太靠近臨界值，否則在實(shí)際應(yīng)用中，電壓的波動或者溫度的變化可能會使電壓超過耐壓值而損壞MOS。

6、持續(xù)大電流造成熱擊穿

長時(shí)間的大電流，例如D8540NX一直以33A持續(xù)過電流，芯片的內(nèi)核會逐漸升溫到170度以上，芯片的內(nèi)核即可能會被擊穿。

7、瞬間高壓

尤其是配合電機(jī)使用時(shí)，當(dāng)電機(jī)突然停止時(shí)，會產(chǎn)生瞬時(shí)的反向電壓，如果續(xù)流二極管不夠大，則可能會損傷MOS。

8、AOT266瞬間短路電流

當(dāng)短路瞬間電流超過了MOS的IDM，如果持續(xù)時(shí)間超過前述表9的邊界范圍，則有可能導(dǎo)致MOS瞬間擊穿。

9、AOT266ESD影響

冬天尤其要注意，ESD高發(fā)時(shí)，Ciss電容越小，越容易受到ESD的影響。

10、高頻開關(guān)損耗過大

高頻開關(guān)，尤其是調(diào)速或無刷應(yīng)用時(shí)，MOS處于高頻開關(guān)狀態(tài)，如果驅(qū)動和MOS的開關(guān)速度沒有配合好，導(dǎo)致開關(guān)損耗過大，也同樣容易使MOS升溫導(dǎo)致?lián)p壞。

11、AOT266GS驅(qū)動電壓不匹配

對于高開啟的MOS，卻使用5V，甚至3.3V的電源來驅(qū)動，或者驅(qū)動電阻分壓不當(dāng)，例如滿電時(shí)GS分壓為10V，但接近空電時(shí)只有5V左右的電壓，導(dǎo)致MOS開啟不*，內(nèi)阻成倍增加，通過電流時(shí)會快速產(chǎn)生熱量導(dǎo)致MOS燒壞。

12、AOT266MOS 損壞主要原因：

過流 ---------- 持續(xù)大電流或瞬間超大電流引起的結(jié)溫過高而燒毀；

過壓 ---------- 源漏過壓擊穿、源柵極過壓擊穿；

靜電 ---------- 靜電擊穿，CMOS 電路都怕靜電；

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