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代換AOT410半導(dǎo)體-蘇州華鎂

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華鎂公司為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù),已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護和控制驅(qū)動芯片),產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。

華鎂整個團隊秉持著成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作理念,并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個,期許華鎂產(chǎn)品能滿足客戶多方面的要求,讓華鎂能為電子產(chǎn)品的開發(fā)盡一份努力。

華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市,國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。


MOS管,中低壓MOS管,MOSFET,場效應(yīng)管

價格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池,道路/軌道/船舶,汽車及零部件,電氣
通道類型 N VX 15-35-70-46-070

代換AOT410應(yīng)用吸塵器mos管引腳封裝
AOT410采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝,還能顯著降低傳導(dǎo)、開關(guān)和柵極電荷損耗;并能兼容多種控制器,可實現(xiàn)不同的工作模式,支持主動相變換模式APS(Auto Phase Switching)。
AOT410除了QFN封裝外,雙邊扁平無引腳封裝(DFN)也是一種新的電子封裝工藝,在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用,與QFN相比,DFN少了兩邊的引出電極。
AOT410除了外部封裝,基于電子制造對MOS管的需求的變化,內(nèi)部封裝技術(shù)也在不斷得到改進,這主要從三個方面進行:改進封裝內(nèi)部的互連技術(shù)、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導(dǎo)方向。

代換AOT410常見問題
AOT410MOS管失效的6大原因:1)雪崩失效(電壓失效):也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOS管的額定電壓,并且超過達到了一定的能力從而導(dǎo)致MOS管失效。2)柵極電壓失效:由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。3)靜電失效:在秋冬季節(jié),由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。4)諧振失效:在并聯(lián)使用的過程中,柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。
體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結(jié)構(gòu)中,由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。5)SOA失效(電流失效):既超出MOS管安全工作區(qū)引起失效,分為ld超出器件規(guī)格失效以及l(fā)d過大,損耗過高器件長時間熱積累而導(dǎo)致的失效。
雪崩失效(電壓失效):底什么是雪崩失效呢?簡單來說MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOS管漏源之間,導(dǎo)致的一種失效模式。簡而言之就是MOS管漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見的失效模式。
雪崩破壞的預(yù)防措施:理降額使用。目前,行業(yè)內(nèi)降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據(jù)公司保修條款和電路重點來選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設(shè)計。大電流接線盡量采用大、小布置,以減小接線寄生電感。
選擇一個合理的門電阻Rg.在大功率電源中,可以根據(jù)需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。
冊極電壓失效:造成柵極電壓異常高的主要原因有三:產(chǎn)、運輸、裝配過程中的靜電;電力系統(tǒng)運行中設(shè)備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振;通過Gad傳檢到網(wǎng)


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