替代IRF2807應(yīng)用5串n型mos管工藝
IRF2807當(dāng) MOS 導(dǎo)通時，柵極和源極的電場將柵極下的 P 區(qū)反型，在柵極下面的 P區(qū)產(chǎn)生 N 型導(dǎo)電溝道，同時，源極區(qū)的電子通過導(dǎo)電溝道進(jìn)入垂直的 N+區(qū)，中和 N+區(qū)的正電荷空穴，從而恢復(fù)被耗盡的 N+型特性，因此導(dǎo)電溝道形成，垂直 N+區(qū)摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導(dǎo)通電阻低。SJ MOSFET 特點：超結(jié) MOSFET 是綜合了平面型和溝槽型結(jié)構(gòu)兩者的特點，是在平面型結(jié)構(gòu)中開一個低阻抗電流通路的溝槽，因此具有平面型結(jié)構(gòu)的高耐壓和溝槽型結(jié)構(gòu)低電阻的特性。通態(tài)電阻小，通態(tài)損耗小；同等功率下封裝小，有利于電源小型化；柵極開啟電壓提高，抗*力強(qiáng)；柵極電荷大，驅(qū)動功率大；
結(jié)電容小，開關(guān)損耗??；SJ MOSFET 由于要開出 N+溝槽，它的生產(chǎn)工藝比較復(fù)雜，目前 N+溝槽主要有兩種方法直接制作：通過一層一層的外延生長得到 N+溝槽和直接開溝槽，前者工藝相對容易控制，但工藝程序多，成本高；后者成本低，但不易保證溝槽內(nèi)性能的一致性。SJ MOSFET 主要應(yīng)用于電源適配器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器及充電器等場合。
IRF2807芯片測試封裝好的芯片成功經(jīng)過烤機(jī)（Burn In）后需要進(jìn)行深度測試，測試包括初始測試（Initial Test）和最后測試（Final Test）。初始測試就是把封裝好的芯片放在各種環(huán)境下測試其電氣特性（如運(yùn)行速度、功耗、頻率等），挑選出失效的芯片，把正常工作的芯片按照電氣特性分為不同的級別。最后測試是對初始測試后的芯片進(jìn)行級別之間的轉(zhuǎn)換等操作。成品入庫測試好的芯片經(jīng)過半成品倉庫后進(jìn)入最后的終加工，包括激光印字、出廠質(zhì)檢、成品封裝等，最后入庫。


替代IRF2807常見問題
IRF2807本二級管故障：不同的拓?fù)浜碗娐分?，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個重要因素。由于二極管本身是寄生參數(shù)，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過結(jié)合自身電路來分析。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(jī)(個人計算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個團(tuán)隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代IRF2807應(yīng)用5串n型mos管封裝
IRF2807有些電子系統(tǒng)受制于PCB的尺寸和內(nèi)部的高度，如通信系統(tǒng)的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設(shè)計或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產(chǎn)品；也有些超薄設(shè)計需要將器件管腳折彎平放，這會加大MOS管選用的復(fù)雜度。

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