替代IRF1010E應(yīng)用電動工具mos管開關(guān)工藝
IRF1010E功率半導(dǎo)體技術(shù)是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)與核心，所以功率器件有時(shí)也被稱為電力電子器件。從類型上分，功率器件可分為功率IC和功率分立器件兩類，功率分立器件又包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT等器件。而從應(yīng)用上分，功率器件通常
分為四類：輸入整流型功率器件；控制型功率器件；逆變用功率器件；輸出整流型功率器件。廣泛的應(yīng)用類型使得功率器件幾乎可以用于所有的電子制造業(yè)，包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的筆記本、服務(wù)器、PC、顯示器以及各種外設(shè)；消費(fèi)電子領(lǐng)域的電視機(jī)和各種數(shù)碼產(chǎn)品；網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機(jī)、電話以及其它各種終端和局端設(shè)備；工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設(shè)備等1.除了保證這些設(shè)備的正常運(yùn)行以外，功率器件還能起到有效的節(jié)能作用。由于電子產(chǎn)品的需求增長以及對能效要求的不斷提高，中國功率器件市場一直保持較快的發(fā)展速度?；仡櫣β拾雽?dǎo)體器件的發(fā)展，從二十世紀(jì)五十年代一只晶閘管問世以來，功率器件發(fā)展大致可分為三個(gè)階段。階段是雙極型時(shí)代（五十年代初到七十年代），各種類型的晶閘管、功率二極管和大功率達(dá)林頓晶體管都有很大的發(fā)展，此時(shí)器件額定功率比較大，服務(wù)對象以工業(yè)應(yīng)用為主，主要是應(yīng)用在高壓低頻條件下。
IRF1010E二級封裝二級封裝是印刷電路板的封裝和裝配，將一級封裝的元器件組裝到印刷電路板（PCB）上，包括板上封裝單元和器件的互連，包括阻抗的控制、連線的精細(xì)程度和低介電常數(shù)材料的應(yīng)用。除了特別要求外，這一級封裝一般不單獨(dú)加封裝體，具體產(chǎn)品如計(jì)算機(jī)的顯卡，PCI 數(shù)據(jù)采集卡等都屬于這一級封裝。如果這一級封裝能實(shí)現(xiàn)某些完整的功能，需要
將其安裝在同一的殼體中，例如 Ni 公司的 USB 數(shù)據(jù)采集卡，創(chuàng)新的外置 USB 聲卡等。
三級封裝三級封裝是將二級封裝的組件查到同一塊母板上，也就是關(guān)于插件接口、主板及組件的互連。這一級封裝可以實(shí)現(xiàn)密度更高，功能更全組裝，通常是一種立體組裝技術(shù)。例如一臺 PC 的主機(jī)，一個(gè) NI 公司的 PXI 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),汽車的 GPS 導(dǎo)航儀，這些都屬于三級微電子封裝的產(chǎn)品。

替代IRF1010E常見問題
IRF1010EOA失效（電流失效）：導(dǎo)體光放大器（SOA)失效是指在電源工作過程中，由于MOS管上同時(shí)疊加了異常大的電流和電壓而引起的損傷模式。或者，芯片、散熱器和封裝不能時(shí)達(dá)到熱平衡，導(dǎo)致熱量積聚，并且連續(xù)熱產(chǎn)生導(dǎo)致溫度超過由于熱擊穿模式而導(dǎo)致的氧化物層的極限。
OA失效的預(yù)防措施：確保在最壞的情況下，MOS管的所有功率限制都在SOA限制線之內(nèi)；OCP功能必須精確、詳細(xì)。
恒芯微專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等20年，工廠直銷省20%,4000家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的，可以點(diǎn)擊右邊的工程師，或者點(diǎn)擊*給您精準(zhǔn)的報(bào)價(jià)以及產(chǎn)品介紹

例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代IRF1010E應(yīng)用電動工具mos管開關(guān)封裝
IRF1010ESOT封裝類型
IRF1010ESOT23是常用的三極管封裝形式，有3條翼形引腳，分別為集電極、發(fā)射極和基極，分別列于元件長邊兩側(cè)，其中，發(fā)射極和基極在同一側(cè)，常見于小功率晶體管、場效應(yīng)管和帶電阻網(wǎng)絡(luò)的復(fù)合晶體管，強(qiáng)度好，但可焊性差。
IRF1010ESOT89具有3條短引腳，分布在晶體管的一側(cè)，另外一側(cè)為金屬散熱片，與基極相連，以增加散熱能力，常見于硅功率表面組裝晶體管，適用于較高功率的場合。
IRF1010ESOT143具有4條翼形短引腳，從兩側(cè)引出，引腳中寬度偏大的一端為集電極，這類封裝常見于高頻晶體管，外形如下圖(c)所示。
IRF1010ESOT252屬于大功率晶體管，3條引腳從一側(cè)引出，中間一條引腳較短，為集電極，與另一端較大的引腳相連，該引腳為散熱作用的銅片。
IRF1010E常見SOT封裝外形比較：主板上常用四端引腳的SOT-89 MOSFET。
IRF1010ESOT-89 MOSFET尺寸規(guī)格（單位：mm）



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