替代FDD8882應(yīng)用電子霧化器n溝道m(xù)os管工藝
FDD8882溝槽式柵極 MOSFET 是將 VD MOSFT 中的“T”導(dǎo)電通路縮短為兩條平行的垂直型導(dǎo)電通路，從而降低通態(tài)電阻。U 型溝槽為平面型演變，切開翻轉(zhuǎn) 90 度，柵結(jié)構(gòu)不與螺片表面平行而是構(gòu)建在溝道之中垂直于表面，因此占用空間較少且使電流流動(dòng)真正垂直，最小化基本單元面積，在相同的站位空間中可以集成更多的單元從而降低 Rdson，并維持電容不變。Trench MOSFET 制作工藝是采用 RIE挖深槽，再用多晶硅填充柵極。
FDD8882屏蔽柵 MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET，縮寫 SGT-MOSFET）功率器件是一種基于傳統(tǒng)溝槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一種改進(jìn)型的溝槽式功率 MOSFET。相比于傳統(tǒng) U-MOSFET 功率器件，它的開關(guān)速度更快，開關(guān)損耗更低，具有更好的器件性能。對于 SGT-MOSFET 功率器件，溝槽底部的形貌對器件性能都有非常重要的影響。當(dāng) SGT-MOSFET 功率器件溝槽底部氧化膜出現(xiàn)空洞時(shí)，器件 IDSS（漏源短路電流）將增大。SGT-MOSFET 功率器件相比傳統(tǒng) U-MOSFET 功率器件的溝槽深度大大加深了，以往的溝槽清洗干燥工藝，溝槽底部易有水漬殘留。水漬會(huì)導(dǎo)致底部氧化膜生長異常，產(chǎn)生空洞。調(diào)整溝槽清洗干燥工藝，晶圓在清洗干燥過程中，將晶圓脫離去離子水水面的速度降低，即可實(shí)現(xiàn)晶圓的充分干燥，擺脫水漬殘留。

替代FDD8882常見問題
FDD8882J極電壓失效的預(yù)防措施：冊極和源極之間的過電壓保護(hù)：如果柵極和源極之間的阻抗過高，漏極和源極之間電壓的突然變化將通過電極間電容耦合到柵極上，導(dǎo)致非常高的UGS壓超調(diào)，從而導(dǎo)致柵極超調(diào)。如果是正方向上的UGS瞬態(tài)電壓，設(shè)備也可能導(dǎo)通錯(cuò)誤。為此，應(yīng)適當(dāng)降低柵極驅(qū)動(dòng)電路的阻抗，并在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)阻尼電阻或一個(gè)穩(wěn)壓約20V的調(diào)壓器。必須特別注意防止開門操作。
非水管之間的過電壓保護(hù)：如果電路中存在電感負(fù)載，當(dāng)設(shè)備關(guān)閉時(shí)，漏極電流（di/dt)的突然變化將導(dǎo)致漏極電壓超調(diào)，這遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于電源電壓，從而導(dǎo)致設(shè)備損壞。應(yīng)采取齊納鉗、RC鉗或RC抑制電路等保護(hù)措施。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代FDD8882應(yīng)用電子霧化器n溝道m(xù)os管封裝
FDD8882SO-8內(nèi)部封裝結(jié)構(gòu)
FDD8882這四種限制對其電學(xué)和熱學(xué)性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高，MOSFET廠商在采用SO-8尺寸規(guī)格時(shí)，同步對焊線互連形式進(jìn)行了改進(jìn)，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，以降低封裝電阻、電感和熱阻。
FDD8882增加漏極散熱板
FDD8882標(biāo)準(zhǔn)的SO-8封裝采用塑料將芯片包圍，低熱阻的熱傳導(dǎo)通路只是芯片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導(dǎo)體，故而影響了漏極的散熱。
FDD8882技術(shù)改進(jìn)就是要除去引線框下方的塑封化合物，方法是讓引線框金屬結(jié)構(gòu)直接或加一層金屬板與PCB接觸，并焊接到PCB焊盤上，這樣就提供了更多的散熱接觸面積，把熱量從芯片上帶走；同時(shí)也可以制成更薄的器件。

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