替代FDD6680應(yīng)用代步車MOSFET工藝
FDD6680VU MOSFET（Vertical U-groove MOSFET）為了改善 V 型槽頂端的電場尖峰和電流集中效應(yīng)，研究人員又發(fā)明了 VU
MOSFET，VU MOSFET 與 VV MOSFET 一致同樣采用各向異性刻蝕工藝挖 U 槽。VU MOSFET 特點(diǎn)：解決了 VV MOSFET 放電問題，提高擊穿電壓；溝道垂直，元胞可做得更小，元胞數(shù)增加。但其工藝穩(wěn)定性不佳。
FDD6680和屏蔽柵極與控制柵極極間介質(zhì)層來優(yōu)化SGTMOSFET的柵電荷Qg,如圖8b所示，這種SGTMOSFET結(jié)構(gòu)通過采用淀積較薄的控制柵極多晶硅，然后進(jìn)行Spacer刻蝕，形成兩條分立的窄條狀控制柵極結(jié)，并且在屏蔽柵極與控制柵極之間形成低k介質(zhì)層（low-k dielectric layer,LDL).一方面，與常規(guī)SGTMOSFET相比，該結(jié)構(gòu)減小了常規(guī)結(jié)構(gòu)中控制柵極的體積，降低了器件的柵電荷Qg;另一方面在控制柵極與屏蔽柵極采用了低介電常數(shù)的極間介質(zhì)，相較于常規(guī)結(jié)構(gòu)，在不影響器件導(dǎo)通電阻Rdson和擊穿電壓BV的前提下大大降低了器件的柵源電容Cgs,進(jìn)一步提高了器件的動(dòng)態(tài)特性。


替代FDD6680常見問題
FDD6680本二級管故障：不同的拓?fù)浜碗娐分?，MOS管具有不同的作用。例如，在LLC中，體二極管的速度也是影響MOS管可靠性的一個(gè)重要因素。由于二極管本身是寄生參數(shù)，因此很難區(qū)分漏源體二極管故障和漏源電壓故障。二極管故障的解決方案主要是通過結(jié)合自身電路來分析。


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代FDD6680應(yīng)用代步車MOSFET封裝
FDD6680小外形封裝（SOP）
FDD6680SOP（Small Out-Line Package）是表面貼裝型封裝之一，也稱之為SOL或DFP，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。
FDD6680SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格，業(yè)界往往把“P”省略，簡寫為SO（Small Out-Line）。
FDD6680SOP-8封裝尺寸
FDD6680SO-8為PHILIP公司開發(fā)，采用塑料封裝，沒有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。
FDD6680后逐漸派生出TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格；其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
FDD6680常用于MOS管的SOP派生規(guī)格

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