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替代AOT1100-半導體MOS管

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華鎂公司為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務,已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護和控制驅動芯片),產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業(yè)應用產品等。

華鎂整個團隊秉持著成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作理念,并已累積15年以上的產品開發(fā)經驗及50余個,期許華鎂產品能滿足客戶多方面的要求,讓華鎂能為電子產品的開發(fā)盡一份努力

華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國內研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市,國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。


MOS管,中低壓MOS管,MOSFET,場效應管

產地類別 國產 應用領域 醫(yī)療衛(wèi)生,能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,電氣
通道類型 N VX 15-35-70-46-070

替代AOT1100應用16串MOS管工藝
AOT1100非鉗位感性開關(Unclamped Inductive Switching,UIS)能力一直是SGT MSOFET研究的熱點。除了寄生NPN三級管開啟、較弱的終端結構設計和電荷平衡外12,關于SGT MOSFET UIS失效機理的最近研究表明屏蔽柵極多晶硅的電位分布不均勻是引起SGT MOSFET在大電流下UIS失效的主要原因12.與傳統(tǒng)SGT MOSFET不同的改進UIS特性的新結構也被提出:傳統(tǒng) SGT MOSFET 通常在終端區(qū)將屏蔽柵極外接,新結構通過在元胞區(qū)的屏蔽柵極氧化物上方刻蝕接觸孔,直接將屏蔽柵極多晶硅與源極金屬相接;當發(fā)生雪崩時,位移電流直接通過該接觸孔從屏蔽柵極流到源極金屬。在這種情況下,屏蔽柵極和源極之間的接觸電阻均勻且比常規(guī)結構小得多。沿著屏蔽柵極的感應電勢分布是均勻的,并且比常規(guī)結構要低得多。因此,避免了非均勻電位分布引起的固定雪崩點導致電流集中。圖5a是這種改善UIS能力的SGT MOSFET 結構14].
AOT1100SGT-MOSFET 與 U-MOSFET 器件結構不同之處在其深溝槽的柵結構上。U-MOSFET 溝槽結構僅有一個多晶硅的控制柵電極;SGT-MOSFET 的溝槽結構由兩個多晶硅部分組成:上半部分是控制柵電極,下半部分是屏蔽電極,如圖 2 所示。屏蔽電極位于柵電極下方。柵電極通過柵電極絕緣介質層絕緣,屏蔽電極則通過屏蔽電極絕緣介質層絕緣,但屏蔽電極絕緣介質層的厚度要厚于柵電極絕緣介質層。此外柵電極和屏蔽電極之間通過中間介質層絕緣。


替代AOT1100常見問題
AOT1100MOS管失效的6大原因:1)雪崩失效(電壓失效):也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOS管的額定電壓,并且超過達到了一定的能力從而導致MOS管失效。2)柵極電壓失效:由于柵極遭受異常電壓尖峰,而導致柵極柵氧層失效。3)靜電失效:在秋冬季節(jié),由于人體及設備靜電而導致的器件失效。4)諧振失效:在并聯(lián)使用的過程中,柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。
體二極管失效:在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中,由于體二極管遭受破壞而導致的失效。5)SOA失效(電流失效):既超出MOS管安全工作區(qū)引起失效,分為ld超出器件規(guī)格失效以及l(fā)d過大,損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
雪崩失效(電壓失效):底什么是雪崩失效呢?簡單來說MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOS管漏源之間,導致的一種失效模式。簡而言之就是MOS管漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
雪崩破壞的預防措施:理降額使用。目前,行業(yè)內降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據(jù)公司保修條款和電路重點來選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設計。大電流接線盡量采用大、小布置,以減小接線寄生電感。
選擇一個合理的門電阻Rg.在大功率電源中,可以根據(jù)需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。
冊極電壓失效:造成柵極電壓異常高的主要原因有三:產、運輸、裝配過程中的靜電;電力系統(tǒng)運行中設備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振;通過Gad傳檢到網(wǎng)


鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下,MOS都處于開或關的狀態(tài),不用考慮MOS的開關速度,會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點:
1,注意DS電壓,設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2,注意工作電流與保護電流,經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3,多顆MOS并聯(lián),電流的余量盡量再大一點。
4,走大電流的方案,要綜合考慮封裝散熱,內阻。
5,驅動電壓要了解,盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài),對于單片機驅動的方案,盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型,BVDDS ,ID導通電流,VGS(th),RDSON這幾項參數(shù)。




公司介紹

華鎂公司,為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務,已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片(鋰電保護

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和控制驅動芯片),產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業(yè)應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念,并已累積15年以上的產品開發(fā)經驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)(302 新竹縣竹北市),國內研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市,國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AOT1100應用16串MOS管封裝
AOT1100按照安裝在PCB板上的方式來劃分,MOS管封裝主要有兩大類:插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
AOT1100插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有:雙列直插式封裝(DIP)、晶體管外形封裝(TO)、插針網(wǎng)格陣列封裝(PGA)三種樣式。
AOT1100表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有:晶體管外形(D-PAK)、小外形晶體管(SOT)、小外形封裝(SOP)、方形扁平式封裝(QFP)、塑封有引線芯片載體(PLCC)等。
AOT1100在完成MOS管芯片在制作之后,需要給MOS管芯片加上一個外殼,這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護和冷卻的作用,同時還可為芯片提供電氣連接和隔離,從而將MOS管器件與其它元件構成完整的電路。
AOT1100而不同的封裝、不同的設計,MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會不一樣,而它們在電路中所能起到的作用也會不一樣;另外,封裝還是電路設計中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻,今天我們就來聊聊MOS管封裝的那些事。



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