替代AOT1100應用16串MOS管工藝
AOT1100非鉗位感性開關（Unclamped Inductive Switching,UIS)能力一直是SGT MSOFET研究的熱點。除了寄生NPN三級管開啟、較弱的終端結構設計和電荷平衡外12,關于SGT MOSFET UIS失效機理的最近研究表明屏蔽柵極多晶硅的電位分布不均勻是引起SGT MOSFET在大電流下UIS失效的主要原因12.與傳統(tǒng)SGT MOSFET不同的改進UIS特性的新結構也被提出：傳統(tǒng) SGT MOSFET 通常在終端區(qū)將屏蔽柵極外接，新結構通過在元胞區(qū)的屏蔽柵極氧化物上方刻蝕接觸孔，直接將屏蔽柵極多晶硅與源極金屬相接；當發(fā)生雪崩時，位移電流直接通過該接觸孔從屏蔽柵極流到源極金屬。在這種情況下，屏蔽柵極和源極之間的接觸電阻均勻且比常規(guī)結構小得多。沿著屏蔽柵極的感應電勢分布是均勻的，并且比常規(guī)結構要低得多。因此，避免了非均勻電位分布引起的固定雪崩點導致電流集中。圖5a是這種改善UIS能力的SGT MOSFET 結構14].
AOT1100SGT-MOSFET 與 U-MOSFET 器件結構不同之處在其深溝槽的柵結構上。U-MOSFET 溝槽結構僅有一個多晶硅的控制柵電極;SGT-MOSFET 的溝槽結構由兩個多晶硅部分組成：上半部分是控制柵電極，下半部分是屏蔽電極，如圖 2 所示。屏蔽電極位于柵電極下方。柵電極通過柵電極絕緣介質層絕緣，屏蔽電極則通過屏蔽電極絕緣介質層絕緣，但屏蔽電極絕緣介質層的厚度要厚于柵電極絕緣介質層。此外柵電極和屏蔽電極之間通過中間介質層絕緣。


替代AOT1100常見問題
AOT1100MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（電壓失效）：也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOS管的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOS管失效。2）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導致柵極柵氧層失效。3）靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設備靜電而導致的器件失效。4）諧振失效：在并聯(lián)使用的過程中，柵極及電路寄生參數(shù)導致震蕩引起的失效。
體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進行續(xù)流的拓撲結構中，由于體二極管遭受破壞而導致的失效。5）SOA失效（電流失效）：既超出MOS管安全工作區(qū)引起失效，分為ld超出器件規(guī)格失效以及l(fā)d過大，損耗過高器件長時間熱積累而導致的失效。
雪崩失效（電壓失效）：底什么是雪崩失效呢？簡單來說MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOS管漏源之間，導致的一種失效模式。簡而言之就是MOS管漏源極的電壓超過其規(guī)定電壓值并達到一定的能量限度而導致的一種常見的失效模式。
雪崩破壞的預防措施：理降額使用。目前，行業(yè)內降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據(jù)公司保修條款和電路重點來選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設計。大電流接線盡量采用大、小布置，以減小接線寄生電感。
選擇一個合理的門電阻Rg.在大功率電源中，可以根據(jù)需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。
冊極電壓失效：造成柵極電壓異常高的主要原因有三：產、運輸、裝配過程中的靜電；電力系統(tǒng)運行中設備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振；通過Gad傳檢到網(wǎng)


例

鋰電池保護板做充放電開關使用

一般情況下，MOS都處于開或關的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關速度，會在整體電路上設計了快速關閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內阻。
5，驅動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設計公司。憑借著堅實的產品開發(fā)、營銷業(yè)務及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產品及滿足客戶需求的服務，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導體元器件產品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護

和控制驅動芯片），產品應用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務器)、電源供應器、通訊電子產品、手持式電子裝置、消費性產品及工業(yè)應用產品等。
華鎂整個團隊秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學習、進取創(chuàng)新、誠信正直、團隊合作”理念，并已累積15年以上的產品開發(fā)經驗及50余個。
華鎂研發(fā)總部設在中國臺灣新竹科學工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內研發(fā)和應用總部位于張家港市和蕪湖市，國內市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務為主。

替代AOT1100應用16串MOS管封裝
AOT1100按照安裝在PCB板上的方式來劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
AOT1100插入式就是MOSFET的管腳穿過PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）三種樣式。
AOT1100表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。
AOT1100在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護和冷卻的作用，同時還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構成完整的電路。
AOT1100而不同的封裝、不同的設計，MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會不一樣，而它們在電路中所能起到的作用也會不一樣；另外，封裝還是電路設計中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻，今天我們就來聊聊MOS管封裝的那些事。



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