替代AOT1100應(yīng)用16串MOS管工藝
AOT1100非鉗位感性開(kāi)關(guān)（Unclamped Inductive Switching,UIS)能力一直是SGT MSOFET研究的熱點(diǎn)。除了寄生NPN三級(jí)管開(kāi)啟、較弱的終端結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和電荷平衡外12,關(guān)于SGT MOSFET UIS失效機(jī)理的最近研究表明屏蔽柵極多晶硅的電位分布不均勻是引起SGT MOSFET在大電流下UIS失效的主要原因12.與傳統(tǒng)SGT MOSFET不同的改進(jìn)UIS特性的新結(jié)構(gòu)也被提出：傳統(tǒng) SGT MOSFET 通常在終端區(qū)將屏蔽柵極外接，新結(jié)構(gòu)通過(guò)在元胞區(qū)的屏蔽柵極氧化物上方刻蝕接觸孔，直接將屏蔽柵極多晶硅與源極金屬相接；當(dāng)發(fā)生雪崩時(shí)，位移電流直接通過(guò)該接觸孔從屏蔽柵極流到源極金屬。在這種情況下，屏蔽柵極和源極之間的接觸電阻均勻且比常規(guī)結(jié)構(gòu)小得多。沿著屏蔽柵極的感應(yīng)電勢(shì)分布是均勻的，并且比常規(guī)結(jié)構(gòu)要低得多。因此，避免了非均勻電位分布引起的固定雪崩點(diǎn)導(dǎo)致電流集中。圖5a是這種改善UIS能力的SGT MOSFET 結(jié)構(gòu)14].
AOT1100SGT-MOSFET 與 U-MOSFET 器件結(jié)構(gòu)不同之處在其深溝槽的柵結(jié)構(gòu)上。U-MOSFET 溝槽結(jié)構(gòu)僅有一個(gè)多晶硅的控制柵電極;SGT-MOSFET 的溝槽結(jié)構(gòu)由兩個(gè)多晶硅部分組成：上半部分是控制柵電極，下半部分是屏蔽電極，如圖 2 所示。屏蔽電極位于柵電極下方。柵電極通過(guò)柵電極絕緣介質(zhì)層絕緣，屏蔽電極則通過(guò)屏蔽電極絕緣介質(zhì)層絕緣，但屏蔽電極絕緣介質(zhì)層的厚度要厚于柵電極絕緣介質(zhì)層。此外柵電極和屏蔽電極之間通過(guò)中間介質(zhì)層絕緣。


替代AOT1100常見(jiàn)問(wèn)題
AOT1100MOS管失效的6大原因：1）雪崩失效（電壓失效）：也就是我們常說(shuō)的漏源間的BVdss電壓超過(guò)MOS管的額定電壓，并且超過(guò)達(dá)到了一定的能力從而導(dǎo)致MOS管失效。2）柵極電壓失效：由于柵極遭受異常電壓尖峰，而導(dǎo)致柵極柵氧層失效。3）靜電失效：在秋冬季節(jié)，由于人體及設(shè)備靜電而導(dǎo)致的器件失效。4）諧振失效：在并聯(lián)使用的過(guò)程中，柵極及電路寄生參數(shù)導(dǎo)致震蕩引起的失效。
體二極管失效：在橋式、LLC等有用到體二極管進(jìn)行續(xù)流的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中，由于體二極管遭受破壞而導(dǎo)致的失效。5）SOA失效（電流失效）：既超出MOS管安全工作區(qū)引起失效，分為ld超出器件規(guī)格失效以及l(fā)d過(guò)大，損耗過(guò)高器件長(zhǎng)時(shí)間熱積累而導(dǎo)致的失效。
雪崩失效（電壓失效）：底什么是雪崩失效呢？簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOS管在電源板上由于母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等等系統(tǒng)電壓疊加在MOS管漏源之間，導(dǎo)致的一種失效模式。簡(jiǎn)而言之就是MOS管漏源極的電壓超過(guò)其規(guī)定電壓值并達(dá)到一定的能量限度而導(dǎo)致的一種常見(jiàn)的失效模式。
雪崩破壞的預(yù)防措施：理降額使用。目前，行業(yè)內(nèi)降額一般選擇80%-95%的降額。具體情況根據(jù)公司保修條款和電路重點(diǎn)來(lái)選擇。理的變壓器反射電壓。理的RCD和TVS吸收電路設(shè)計(jì)。大電流接線盡量采用大、小布置，以減小接線寄生電感。
選擇一個(gè)合理的門電阻Rg.在大功率電源中，可以根據(jù)需要增加RC阻尼或齊納二極管吸收。
冊(cè)極電壓失效：造成柵極電壓異常高的主要原因有三：產(chǎn)、運(yùn)輸、裝配過(guò)程中的靜電；電力系統(tǒng)運(yùn)行中設(shè)備和電路寄生參數(shù)引起的高壓諧振；通過(guò)Gad傳檢到網(wǎng)


例

鋰電池保護(hù)板做充放電開(kāi)關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開(kāi)或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開(kāi)關(guān)速度，會(huì)在整體電路上設(shè)計(jì)了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個(gè)點(diǎn)：
1，注意DS電壓，設(shè)計(jì)選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護(hù)電流，經(jīng)驗(yàn)值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點(diǎn)。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動(dòng)電壓要了解，盡量使MOS工作在*開(kāi)啟狀態(tài)，對(duì)于單片機(jī)驅(qū)動(dòng)的方案，盡量推薦低開(kāi)啟的MOS。
另外在選用MOS管時(shí)要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項(xiàng)參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計(jì)公司。憑借著堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、營(yíng)銷業(yè)務(wù)及營(yíng)運(yùn)團(tuán)隊(duì)。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價(jià)比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護(hù)

和控制驅(qū)動(dòng)芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計(jì)算機(jī)(個(gè)人計(jì)算機(jī)與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費(fèi)性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
華鎂整個(gè)團(tuán)隊(duì)秉持著“成就客戶、努力奮斗、持續(xù)學(xué)習(xí)、進(jìn)取創(chuàng)新、誠(chéng)信正直、團(tuán)隊(duì)合作”理念，并已累積15年以上的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)及50余個(gè)。
華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國(guó)內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AOT1100應(yīng)用16串MOS管封裝
AOT1100按照安裝在PCB板上的方式來(lái)劃分，MOS管封裝主要有兩大類：插入式(Through Hole)和表面貼裝式(Surface Mount)。
AOT1100插入式就是MOSFET的管腳穿過(guò)PCB板的安裝孔并焊接在PCB板上。常見(jiàn)的插入式封裝有：雙列直插式封裝（DIP）、晶體管外形封裝（TO）、插針網(wǎng)格陣列封裝（PGA）三種樣式。
AOT1100表面貼裝則是MOSFET的管腳及散熱法蘭焊接在PCB板表面的焊盤(pán)上。典型表面貼裝式封裝有：晶體管外形（D-PAK）、小外形晶體管（SOT）、小外形封裝（SOP）、方形扁平式封裝（QFP）、塑封有引線芯片載體（PLCC）等。
AOT1100在完成MOS管芯片在制作之后，需要給MOS管芯片加上一個(gè)外殼，這就是MOS管封裝。該封裝外殼主要起著支撐、保護(hù)和冷卻的作用，同時(shí)還可為芯片提供電氣連接和隔離，從而將MOS管器件與其它元件構(gòu)成完整的電路。
AOT1100而不同的封裝、不同的設(shè)計(jì)，MOS管的規(guī)格尺寸、各類電性參數(shù)等都會(huì)不一樣，而它們?cè)陔娐分兴芷鸬降淖饔靡矔?huì)不一樣；另外，封裝還是電路設(shè)計(jì)中MOS管選擇的重要參考。封裝的重要性不言而喻，今天我們就來(lái)聊聊MOS管封裝的那些事。



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