替代AON7264E應(yīng)用平衡車mos管廠家工藝
AON7264ELD MOSFET 特點：制造工藝簡單、具有低結(jié)電容，因此開關(guān)速度快；但該工藝 MOSFET 因不能充分應(yīng)用硅片尺寸，電流和電壓的額定值受到限制，功率等級??；一般主要適合低壓場合應(yīng)用，如微處理器、運放、數(shù)字電路及射頻電路。因LD MOSFET 的功率處理能力低下促使垂直導(dǎo)電型 V MOSFET 的出現(xiàn)，VMOSFET 分為 VV MOSFET 和 VU MOSFET 兩種結(jié)構(gòu)。
AON7264ESGT MOSFET 廣泛用于同步整流，BMS，電機驅(qū)動，UPS 等 SGT 產(chǎn)品目前主要集中在 BVDSS≤100V,RDSON≤12mΩ
Trench MOSFET的基本結(jié)構(gòu)：Trench MOS結(jié)構(gòu)早在80年代初就被提了出來，Trench MOSFET的發(fā)展是圍繞更高的原胞密度、更低的導(dǎo)通電阻、更可靠的結(jié)構(gòu)和更簡化的工藝展開的。可見Trench MOSFET同VDMOS一樣，是縱向?qū)щ娊Y(jié)構(gòu)，但Trench MOSFET同時還是縱向溝道，這種結(jié)構(gòu)不僅使Trench MOS消除了VDMOS導(dǎo)通電阻中的寄生JFET電阻這部分，還充分利用了圓片空間，使Trench MOS的原胞面積可以做的非常小，從而帶來更大的電流和更小的導(dǎo)通電阻。Trench MOSFET的單胞結(jié)構(gòu)圖，可見其由如下幾個關(guān)鍵部分組成：N型高摻雜濃度的襯底，作為MOSFET的漏極；低摻雜濃度的N型外延層構(gòu)成漂移區(qū)；溝道區(qū)摻雜有P型雜質(zhì)硼；多晶硅柵極做在Trench槽內(nèi)，并使用柵氧化層將柵極和體硅分開；源區(qū)采用高濃度的磷或砷注入，并于溝道區(qū)相短接，通過金屬引出作為源極。


替代AON7264E常見問題

例

鋰電池保護板做充放電開關(guān)使用

一般情況下，MOS都處于開或關(guān)的狀態(tài)，不用考慮MOS的開關(guān)速度，會在整體電路上設(shè)計了快速關(guān)閉回路。
要注意以下幾個點：
1，注意DS電壓，設(shè)計選型留有足夠的余量。按照1.5倍MOS管的BVDDS
2，注意工作電流與保護電流，經(jīng)驗值是3~4倍以上為MOS的ID(DC) 。
3，多顆MOS并聯(lián)，電流的余量盡量再大一點。
4，走大電流的方案，要綜合考慮封裝散熱，內(nèi)阻。
5，驅(qū)動電壓要了解，盡量使MOS工作在*開啟狀態(tài)，對于單片機驅(qū)動的方案，盡量推薦低開啟的MOS。
另外在選用MOS管時要注意溝道類型，BVDDS ，ID導(dǎo)通電流，VGS(th)，RDSON這幾項參數(shù)。

公司介紹
華鎂公司，為一家專業(yè)功率半導(dǎo)體組件(MOSFET)和集成電路芯片的設(shè)計公司。憑借著堅實的產(chǎn)品開發(fā)、營銷業(yè)務(wù)及營運團隊。提供性能優(yōu)異、高信賴性、高性價比的產(chǎn)品及滿足客戶需求的服務(wù)，已獲得眾多客戶于其節(jié)能電子產(chǎn)品中的廣泛使用。目前華鎂可提供的功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品(12V~1200V)和集成電路芯片（鋰電保護和控制驅(qū)動芯片），產(chǎn)品應(yīng)用范圍含蓋計算機(個人計算機與服務(wù)器)、電源供應(yīng)器、通訊電子產(chǎn)品、手持式電子裝置、消費性產(chǎn)品及工業(yè)應(yīng)用產(chǎn)品等。
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華鎂研發(fā)總部設(shè)在中國臺灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)（302 新竹縣竹北市），國內(nèi)研發(fā)和應(yīng)用總部位于張家港市和蕪湖市，國內(nèi)市場主要以成品及Wafer銷售和配套服務(wù)為主。

替代AON7264E應(yīng)用平衡車mos管廠家封裝
AON7264E小外形晶體管封裝（SOT）
AON7264ESOT（Small Out-Line Transistor）是貼片型小功率晶體管封裝，主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25（即SOT23-5）等，又衍生出SOT323、SOT363/SOT26（即SOT23-6）等類型，體積比TO封裝小。



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